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公开(公告)号：CN114752901A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210337974.3
申请日：2016-12-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 挂野崇
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种氧化铟‑氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。
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公开(公告)号：CN107614741B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680023954.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。
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公开(公告)号：CN108930015A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810723839.6
申请日：2016-12-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 挂野崇
Abstract: 本发明涉及一种氧化铟-氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107709270A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038373.5
申请日：2016-11-18
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种氧化物烧结体，其为实质上包含铟、锡、镁和氧，以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5％～15％的比例含有锡，以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1％～2.0％的比例含有镁，剩余部分包含铟和氧的烧结体，其特征在于，所述烧结体的表面粗糙度Ra为0.3μm～0.5μm时的挠曲强度为140MPa以上。本发明的课题在于提供可以减少成膜时靶破裂、粉粒产生，并且可以形成非晶稳定性、耐久性优良的薄膜的溅射靶用氧化物烧结体。
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公开(公告)号：CN107614741A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680023954.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。
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公开(公告)号：CN106460161A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023075.4
申请日：2015-11-05
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 挂野崇
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。
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公开(公告)号：CN106460161B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201580023075.4
申请日：2015-11-05
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 挂野崇
Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其为包含In、Sn、O和不可避免的杂质的烧结体，其特征在于，含有以原子比计Sn/(In+Sn)为1.8％以上且3.7％以下(其中不包括3.7％)的Sn，烧结体的平均晶粒尺寸为1.0μm～5.0μm的范围，长径为0.1μm～1.0μm的孔隙的面积比率为0.5％以下，形成有氧化铟相和富氧化锡相两相，富氧化锡相的面积率为0.1％～1.0％，并且富氧化锡相的95％以上存在于晶界三重点。本发明可以提供一种溅射靶，其为适合于形成透明导电膜的、即使在低温下也能够得到低电阻的膜的低氧化锡组成的ITO溅射靶，所述溅射靶的粒径小、密度高、强度高、并且可以减少电弧放电或结瘤。
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公开(公告)号：CN107267936A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201611242711.5
申请日：2016-12-28
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor： 挂野崇
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明涉及一种氧化铟-氧化锌类(IZO)溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其为包含In、Zn、O的溅射靶，其特征在于，Zn和In的原子比满足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且该靶的溅射面内的体电阻率的标准偏差为1.0mΩ·cm以下。本发明提供一种烧结体的翘曲小、并且抑制了由用于减小翘曲的磨削造成的体电阻率的面内偏差的氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶的制造方法。
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