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公开(公告)号：CN107614741B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680023954.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟‑氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107614741A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680023954.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IZO烧结体溅射靶，其为氧化铟-氧化锌类氧化物(IZO)烧结体靶，其特征在于，构成靶的氧化物为In2O3和ZnkIn2Ok+3(k＝3、4、5)复合氧化物，靶的相对密度为98.4％以上。本发明的课题在于，实现IZO烧结体的高密度化，并减少残留在晶粒间的微小的孔(微孔)，由此提高成膜的品质。
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公开(公告)号：CN107428617B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201680016776.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述烧结体中存在的裂纹的平均长度为3μm以上且15μm以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶，所述溅射靶在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂、粉粒产生，能够形成良好的薄膜。
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公开(公告)号：CN107428616B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201680007587.6
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN107428617A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680016776.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，所述烧结体中存在的裂纹的平均长度为3μm以上且15μm以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶，所述溅射靶在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂、粉粒产生，能够形成良好的薄膜。
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公开(公告)号：CN107428616A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680007587.6
申请日：2016-02-19
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。
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