公开(公告)号：CN107428616A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680007587.6

申请日：2016-02-19

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 山口洋平 ,  栗原敏也 ,  角田浩二

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN107428616B

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201680007587.6

申请日：2016-02-19

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 山口洋平 ,  栗原敏也 ,  角田浩二

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/34

Abstract: 一种IGZO烧结体，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)和不可避免的杂质的氧化物烧结体，其特征在于，挠曲强度为50MPa以上，体电阻为100mΩcm以下。本发明的课题在于提供一种在通过DC溅射进行成膜时能够减少靶破裂和粉粒产生、并且能够形成良好的薄膜的溅射靶。