MEMS素子
    1.
    发明专利
    MEMS素子 审中-公开
    MEMS元件

    公开(公告)号:JP2015188947A

    公开(公告)日:2015-11-02

    申请号:JP2014066083

    申请日:2014-03-27

    Abstract: 【課題】MEMS素子の感度を向上させながら、膜の破損を防止するMEMS素子の構造を提供する。 【解決手段】バックチャンバー17を備えた基板1と、この基板上に、スペーサー18を挟んで固定電極13と可動電極6とを配置することでエアーギャップが形成されたMEMS素子であって、可動電極の一部に、可動電極に過大な圧力が印加されたとき、その圧力をその裏面側に通過させるベント構造7、8を備えるとともに、通常動作時にはそのベント構造を覆う可動蓋部3、11を備えている。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够提高MEMS元件的灵敏度并防止对膜的损害的MEMS元件的结构。解决方案:具有衬底1的MEMS元件,其具有形成在衬底上的气隙的后室17 通过在隔离件18上布置固定电极13和可动电极6,包括:可移动电极的一部分上的通气结构7,8,当向可动电极施加过大的压力时,将压力传递到其后侧; 以及在正常操作期间覆盖通风结构的可移动盖部分3,11。

    MEMS素子
    3.
    发明专利
    MEMS素子 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019041349A

    公开(公告)日:2019-03-14

    申请号:JP2017163978

    申请日:2017-08-29

    Abstract: 【課題】感度の高い出力信号を得ることができるMEMS素子を提供する。 【解決手段】圧電膜4を有する可動電極膜の一部を圧電性材料で構成するとともに、この圧電性材料の少なくとも一部を挟んで第1の電極3と、第2の電極5とを配置する。音圧等を受けて可動電極膜が変位すると、固定電極8と可動電極間の容量変化に基づく第1の信号として出力する。同時に第1の電極と第2の電極間の圧電性材料の起電圧に基づく第2の信号として重畳して出力する。 【選択図】図1

    トランスデューサ装置及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2017108226A

    公开(公告)日:2017-06-15

    申请号:JP2015239005

    申请日:2015-12-08

    Abstract: 【課題】小型化、製造の容易化、低コスト化を図ることが可能となり、温度使用範囲も広くすることができるようにする。 【解決手段】シリコン第1基板(第1ウェーハ)16にアコースティックポート18を形成し、シリコン第2基板(第2ウェーハ)17にバックチャンバー19を形成すると共に、例えば第1基板16には、可動電極21と固定電極22を有する変換部23、信号処理回路24を搭載し、第1基板16と第2基板17を重ねて接合する。即ち、第1基板16の周辺部に内側接合材33aと外側接合材33bを配置し、第1基板16の周辺部と第2基板17のバックチャンバー19の縁である基端部を向い合せ、接合材33a,33bにより接合する。 【選択図】図1

    トランスデューサ装置及びその製造方法

    公开(公告)号:JP2017098838A

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:JP2015230836

    申请日:2015-11-26

    Abstract: 【課題】小型化、製造の容易化、モノリシック加工等による低コスト化を図ることが可能となり、温度使用範囲も広くすることができるようにする。 【解決手段】シリコン第1基板(第1ウェーハ)16に可動電極18を形成し、シリコン第2基板(第2ウェーハ)17に固定電極19を形成し、この可動電極18と固定電極19との間に変換部の空間100を確保しかつこの両電極を平行に配置しながら、第1基板17と第2基板を接合することで、装置を製作する。また、信号処理回路22を変換部(18,19)と縦方向で並ぶ位置に配置し、この信号処理回路と変換部は配線層部21にて接続し、第2基板17には、バックチャンバー30、アコースティックポート31及び空気通路32をまとめて形成する。 【選択図】図1

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