公开(公告)号：CN1356718A

公开(公告)日：2002-07-03

申请号：CN01142538.5

申请日：2001-11-30

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  米山岳夫 ,  桐山晃二 ,  浅野彰良 ,  十七里和昭 ,  岩田充弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4481

Abstract: 本发明公开了一种气化器,其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成;还公开了一种气化供给装置,其包括气化器和冷却器,其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成;与气化器外侧接触的进料口由金属构成;可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口,该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时,能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料,且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。

公开(公告)号：CN1237576C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN01142538.5

申请日：2001-11-30

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 高松勇吉 ,  米山岳夫 ,  桐山晃二 ,  浅野彰良 ,  十七里和昭 ,  岩田充弘

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4481

Abstract: 本发明公开了一种气化器，其中与CVD材料接触的至少一部分CVD材料进料口由耐腐蚀性合成树脂构成；还公开了一种气化供给装置，其包括气化器和冷却器，其中气化器的CVD材料进料口的内侧和CVD材料进料口的气化室一侧的表面由耐腐蚀性合成树脂构成；与气化器外侧接触的进料口由金属构成；可以用冷却器冷却由金属构成的CVD材料进料口，该CVD材料进料口在加热气化室时经受来自加热装置的热传递。该气化器和装置当用于向生产半导体的CVD设备供应气态CVD材料时，能以所需的浓度和流速有效地气化和供应CVD材料，且即使在使用固体CVD材料的情况下也不会在CVD材料进料口引起CVD材料的沉积或粘合。

公开(公告)号：CN1346692A

公开(公告)日：2002-05-01

申请号：CN01140985.1

申请日：2001-09-28

Applicant: 日本派欧尼股份株式会社

Inventor： 大塚健二 ,  高松勇吉 ,  名和洋二 ,  十七里和昭

IPC: B01D53/72 ,  B01D53/81 ,  B01D53/04 ,  B01J20/20

CPC classification number: B01D53/72

Abstract: 本发明涉及一种用于净化有害气体的方法,其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触,该有机硅化合物用通式表示为:CH2CH－SiR3、CH2CH－Si(OR)3、CH2CHCH2－SiR3或CH2CHCH2－Si(OR)3,其中R为饱和的烃基团或芳族化合物基团,该净化剂包括附着有至少一种选自溴、碘、金属溴化物和金属碘化物的物质的活性炭,该金属溴化物和金属碘化物中的金属可以是Cu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Al和Sn。本发明还涉及一种组成如上所述的净化剂。该净化方法和净化剂使得可通过使用干法净化方法除去从半导体生产过程中排出的有害气体。