用于有害气体的净化方法和净化剂

    公开(公告)号:CN1346692A

    公开(公告)日:2002-05-01

    申请号:CN01140985.1

    申请日:2001-09-28

    CPC classification number: B01D53/72

    Abstract: 本发明涉及一种用于净化有害气体的方法,其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触,该有机硅化合物用通式表示为:CH2CH-SiR3、CH2CH-Si(OR)3、CH2CHCH2-SiR3或CH2CHCH2-Si(OR)3,其中R为饱和的烃基团或芳族化合物基团,该净化剂包括附着有至少一种选自溴、碘、金属溴化物和金属碘化物的物质的活性炭,该金属溴化物和金属碘化物中的金属可以是Cu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Al和Sn。本发明还涉及一种组成如上所述的净化剂。该净化方法和净化剂使得可通过使用干法净化方法除去从半导体生产过程中排出的有害气体。

    净化有害气体的方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1103240C

    公开(公告)日:2003-03-19

    申请号:CN98108740.X

    申请日:1998-04-24

    CPC classification number: B01D53/8659

    Abstract: 本发明公开一种净化有害气体的方法,它包括使含氟化氮,氟化钨,氟化硅,氟化氢和氟中的至少一种成分,特别是三氟化氮的有害气体,在最低为200℃的温度下与含氧化亚锡作为有效成分的净化剂接触。上述方法能够在较高性能和较低的温度下净化有害气体而又不产生有害气体或可能引起环境污染的气体副产物。

    净化有害气体的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1203830A

    公开(公告)日:1999-01-06

    申请号:CN98108740.X

    申请日:1998-04-24

    CPC classification number: B01D53/8659

    Abstract: 本发明公开一种净化有害气体的方法,它包括使含氟化氮,氟化钨,氟化硅,氟化氢和氟中的至少一种成分,特别是三氟化氮的有害气体,在最低为200℃的温度下与含氧化亚锡作为有效成分的净化剂接触。上述方法能够在较高性能和较低的温度下净化有害气体而又不产生有害气体或可能引起环境污染的气体副产物。

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