公开(公告)号：CN1059878C

公开(公告)日：2000-12-27

申请号：CN95118294.3

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中森雅治 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C02F1/461 ,  C25B9/00

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46195 ,  H01L21/67057 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN1065656C

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  C23F3/00

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。

公开(公告)号：CN1130689A

公开(公告)日：1996-09-11

申请号：CN95118294.3

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中森雅治 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C25B9/00 ,  B08B3/10

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F1/44 ,  C02F1/4618 ,  C02F9/00 ,  C02F2103/04 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/46195 ,  H01L21/67057 ,  Y02E60/366

Abstract: 本发明提供了电子元件的清洗方法，其特征是将用清洗液处理的半导体基板、玻璃基板、电子元件及上述这些的制造装置的部件等被清洗物，再用去离子水电解水的阳极水或阴极水进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN1107338C

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN98125161.7

申请日：1998-11-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中森雅治 ,  本间一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 在一种半导体器件器件生产方法中，在非晶硅膜上生长半球形晶粒，用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片，或用过氧化氢盐酸水溶液，然后，浸入稀氢氟酸中，此后，用清水对其清洗，然后，用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。

公开(公告)号：CN1218982A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98125161.7

申请日：1998-11-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中森雅治 ,  本间一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L28/84

Abstract: 在一种半导体器件生产方法中,在非晶硅膜上生长半球形晶粒,用过氧化氢氨水溶液在一室温度下清洗硅晶片,或用过氧化氢盐酸水溶液,然后,浸入稀氢氟酸中,此后,用清水对其清洗,然后,用异丙基乙醇干燥晶片的非晶硅表面。

公开(公告)号：CN1113034A

公开(公告)日：1995-12-06

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。