公开(公告)号：CN1140331A

公开(公告)日：1997-01-15

申请号：CN96107259.8

申请日：1996-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白水好美

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F2103/346 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种半导体基片的清洗方法。在将纯水加入清洗槽中之后，将氯气加入纯水中从而在纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子。然后，将半导体基片浸入含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水中。本发明能够降低制造半导体器件的成本和减少对地球环境的污染。最好使溶解于纯水中的氯气量在0.003％至0.3％的重量比范围内。

公开(公告)号：CN1080454C

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN96107259.8

申请日：1996-03-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白水好美

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/08 ,  C02F1/42 ,  C02F2103/346 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种半导体基片的清洗方法。在将纯水加入清洁槽中之后，将氯气加入纯水中从而在纯水中产生氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子。然后，将半导体基片浸入含氯离子、次氯酸离子、亚氯酸盐离子和氯酸盐离子的纯水中。本发明能够降低制造半导体器件的成本和减少对地球环境的污染。最好使溶解于纯水中的氯气量在0.003%至0.3%的重量比范围内。

公开(公告)号：CN1113034A

公开(公告)日：1995-12-06

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。

公开(公告)号：CN1236095A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN99100580.5

申请日：1999-02-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 白水好美

IPC: G01N1/00

CPC classification number: G01N1/2226 ,  B01J20/02 ,  B01J20/3078 ,  G01N1/2214 ,  G01N1/405 ,  G01N30/7206 ,  G01N2001/2238

Abstract: 在此提供一种物质分析方法,它能够提高对给半导体器件造成某些不良影响的所期望物质的分析的正确性。第一步,把一种要被分析的气体与一种吸附剂相接触,从而把存在于所述气体中的物质吸附到所述吸附剂上。所述吸附剂由与要被在所述气体中处理的半导体材料相同的材料所制成。第二步,加热所述吸附剂,以在特定热还原温度下从所述吸附剂中热还原出所吸附的物质。第三步,通过使用分析系统分离和识别所述被吸附的物质。

公开(公告)号：CN1065656C

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN95104078.2

申请日：1995-03-25

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 北岛洋 ,  青木秀充 ,  滨野春人 ,  森田信 ,  白水好美 ,  中森雅治 ,  濑尾祐史 ,  清水裕司 ,  井内真 ,  佐佐木康 ,  N·太田 ,  K·渡边

IPC: H01L21/302 ,  C23F3/00

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C02F1/4618 ,  C02F2201/46115 ,  C02F2201/4612 ,  C02F2201/4618 ,  C02F2201/46185 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  C02F2209/42 ,  C02F2301/066

Abstract: 在湿法处理设备中设置了：电解槽(1′)；第一存储槽(11-1)存储电解槽的阳极活化水；第一处理槽(3′-1，3″-1)用第一存储槽的阳极活化水处理工件(303，331)；第二存储槽(11-2)存储电解槽的阴极活化水；第二处理槽(3′-2，3″-2)采用第二存储槽的阴极活化水处理工件(303，331)。且在第一处理槽与电解槽的阳极区之间设置第一再生反馈通道(12-1～16-1)，在第二处理槽与电解槽的阴极区之间设置第二再生反馈通道(12-2～16-2)。