高频科尔皮兹电路
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101764572A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200910252309.9

    申请日:2009-12-02

    Inventor: 松本隆司

    CPC classification number: H03B5/36

    Abstract: 提供一种即使在高频中也能够实现稳定的振荡、能够减小电路规模的高频科尔皮兹电路。该高频科尔皮兹电路除了振荡用的晶体管(Q1)之外,还设有反馈用的晶体管(Q2),晶体管(Q1)的集电极连接在晶体管(Q2)的基极上,晶体管(Q2)的集电极经由电阻(R5)被施加电源电压,并且连接在输出端子上,该集电极经由反馈电阻(Rf)连接在晶体管(Q1)的基极上,在该基极上连接晶体振子、串联连接的电容器(C1)和电容器(C2)的一端,另一端接地,在晶体管(Q1)的发射极上连接有电容器(C1)和电容器(C2)之间的点,并且经由电阻(R4)接地。

    倍增晶体振荡器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1722607B

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200510084163.3

    申请日:2005-07-14

    Inventor: 松本隆司

    Abstract: 本发明具有这样的配置,即在倍增晶体振荡器中,其中多层板具有在中间板的两个主面上的接地金属薄膜和层压在多层板的两侧上的安装板,并且将至少一个倍增LC滤波器布置在层压板的一个主面上,将开口提供在接地金属薄膜中,该接地金属薄膜提供在中间板的一个与LC滤波器的布置区域相对的主面上,以及暴露中间板的接地。本发明的目的是提供一种倍增晶体振荡器,其中防止了用作输出频率的倍增频率的特别的移位和不规则,此外抑制了假振荡。

    倍增晶体振荡器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1722607A

    公开(公告)日:2006-01-18

    申请号:CN200510084163.3

    申请日:2005-07-14

    Inventor: 松本隆司

    Abstract: 本发明具有这样的配置,即在倍增晶体振荡器中,其中多层板具有在中间板的两个主面上的接地金属薄膜和层压在多层板的两侧上的安装板,并且将至少一个倍增LC滤波器布置在层压板的一个主面上,将开口提供在接地金属薄膜中,该接地金属薄膜提供在中间板的一个与LC滤波器的布置区域相对的主面上,以及暴露中间板的接地。本发明的目的是提供一种倍增晶体振荡器,其中防止了用作输出频率的倍增频率的特别的移位和不规则,此外抑制了假振荡。

    压电振荡器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102545781A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201110407941.3

    申请日:2011-12-09

    Inventor: 松本隆司

    CPC classification number: H03L1/028

    Abstract: 本发明提供一种压电振荡器,能够容易且廉价地进行振荡频率的调整并且能够抑制电源电压变动造成的频率变化。一种压电振荡器,具备频率调整电路和振荡电路(1),在振荡电路(1)的输入侧连接可变电容二极管(D3)的阴极,而且将该阴极经由第3电阻(R3)连接到电位计(Rv)的控制电压电极,对于电位计(Rv)经由调节器(2)施加电源电压(Vcc),因此对于电源电压的变动,也能够对可变电容二极管(D3)的阴极施加恒定的电压来抑制频率变化,能够通过变更从电位计(Rv)施加到可变电容二极管(D3)的阴极的电压来廉价且容易地进行频率的调整。

    高频科尔皮兹电路
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101764572B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200910252309.9

    申请日:2009-12-02

    Inventor: 松本隆司

    CPC classification number: H03B5/36

    Abstract: 本发明提供一种即使在高频中也能够实现稳定的振荡、能够减小电路规模的高频科尔皮兹电路。该高频科尔皮兹电路除了振荡用的晶体管(Q1)之外,还设有反馈用的晶体管(Q2),晶体管(Q1)的集电极连接在晶体管(Q2)的基极上,晶体管(Q2)的集电极经由电阻(R5)被施加电源电压,并且连接在输出端子上,该集电极经由反馈电阻(Rf)连接在晶体管(Q1)的基极上,在该基极上连接晶体振子、串联连接的电容器(C1)和电容器(C2)的一端,另一端接地,在晶体管(Q1)的发射极上连接有电容器(C1)和电容器(C2)之间的点,并且经由电阻(R4)接地。

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