复合基板及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102474239A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080033920.3

    申请日:2010-07-21

    CPC classification number: H03H3/08 Y10T29/42

    Abstract: 一种复合基板(10),是用于弹性波器件的基板,具有支承基板(12)、压电基板(14)、以及将支承基板(12)与压电基板(14)粘合起来的粘合层(19)。该复合基板(10)的压电基板(14)形成为:当将压电基板(14)的与支承基板(12)粘合的一侧的面设为第一面(15)、将第一面的相反侧的面设为第二面(16)时,如果将第一面(15)向相对于第二面(16)垂直的方向投影在第二面(16)上,则第一面(15)进入第二面(16)的内侧。即,压电基板(14)的外周面形成为:外周向压电基板(14)的上表面侧变大。如此,在支承基板(12)的粘合面(11)的上方形成比粘合面(11)大的压电基板(14),可缓和例如复合基板(10)的端部因加热所产生的应力。

    III族元素氮化物半导体基板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116997690A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202180093245.1

    申请日:2021-11-19

    Abstract: 本发明提供一种偏离角分布较小的III族元素氮化物半导体基板。本发明的一个实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板具备第一面和第二面,该III族元素氮化物半导体基板的特征在于,该第一面的结晶面的翘曲具有多个极点。

    III族元素氮化物半导体基板
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116034186A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202180054548.2

    申请日:2021-04-20

    Abstract: 本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板,其具备第一面和第二面,对于该III族元素氮化物半导体基板,通过肉眼观察容易区别第一面和第二面,利用光学传感器容易检测出端部,能够确保有效面积(可用于器件制作的面积)较大,整个基板的翘曲减少。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板,其中,该第一面为镜面,该第二面具有第二面中央区域和第二面外周区域,该第二面中央区域为镜面,该第二面外周区域为非镜面。

    复合基板及其制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102474239B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201080033920.3

    申请日:2010-07-21

    CPC classification number: H03H3/08 Y10T29/42

    Abstract: 一种复合基板(10),是用于弹性波器件的基板,具有支承基板(12)、压电基板(14)、以及将支承基板(12)与压电基板(14)粘合起来的粘合层(19)。该复合基板(10)的压电基板(14)形成为:当将压电基板(14)的与支承基板(12)粘合的一侧的面设为第一面(15)、将第一面的相反侧的面设为第二面(16)时,如果将第一面(15)向相对于第二面(16)垂直的方向投影在第二面(16)上,则第一面(15)进入第二面(16)的内侧。即,压电基板(14)的外周面形成为:外周向压电基板(14)的上表面侧变大。如此,在支承基板(12)的粘合面(11)的上方形成比粘合面(11)大的压电基板(14),可缓和例如复合基板(10)的端部因加热所产生的应力。

    复合基板的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101997507A

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN201010267022.6

    申请日:2010-08-20

    Abstract: 对于具有用粘结层将第1基板和第2基板粘合的结构的复合基板,可以进一步减少其在制造工序中受到的限制。本发明的复合基板(10)的制造方法,包括:形成工序,在第1基板(12)的表面形成元件构造部(31);磨削工序,固定所述第1基板(12),对所述第1基板(12)的背面(13)进行磨削;粘合工序,用由粘结剂形成的粘结层(16)将第2基板(14)粘合在所述磨削过的背面(13)。如此,在形成操作性受加热影响的粘结层(16)之前、并且在对由于加热而强度下降的第1基板(12)进行磨削之前,形成包含加热工序的元件构造部(31)。此外,可以采用压电基板作为第1基板(12),采用支承压电基板的支承基板作为第2基板(14),也可以在第1基板(12)的表面(11)上形成弹性波元件用电极(18)作为元件构造部(31)。

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