電極及び電極構造体
    2.
    发明专利
    電極及び電極構造体 审中-公开
    电极和电极结构

    公开(公告)号:JP2015182904A

    公开(公告)日:2015-10-22

    申请号:JP2014058387

    申请日:2014-03-20

    Abstract: 【課題】エネルギー損失や耐久性に影響を及ぼす不要な放電の発生を抑制することができ、全体のサイズの小型化を図ることができ、組み立て体の構造を簡単化することができる電極及び電極構造体を提供する。 【解決手段】第1中空部12Aを有する第1絶縁体14Aと、第1中空部12A内に配された第1導体16Aとを有する第1電極18Aと、第2中空部12Bを有する第2絶縁体14Bと、第2中空部12B内に配された第2導体16Bとを有する第2電極18Bと、第1電極18Aと第2電極18Bとをそれぞれ軸方向を揃えて、且つ、互いに離間して固定する第1固定部材20A及び第2固定部材20Bとを有し、少なくとも第1電極18Aは、少なくとも第1導体16Aの一方の端面26Aaが、第1絶縁体14Aの一方の端面28Aaよりも第1中空部12A内に位置している。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种电极和电极结构,其能够抑制产生不必要的放电,影响能量损失或耐久性,减小整体尺寸,并且简化组件的结构。解决方案:电极结构具有:第一 电极18A具有具有第一中空部分12A的第一绝缘体14A和布置在第一中空部分12A中的第一导体16A; 具有第二绝缘体14B的第二电极18B,第二绝缘体14B具有第二中空部分12B和布置在第二中空部分12B中的第二导体16B; 以及第一固定构件20A和第二固定构件20B,其将第一电极18A和第二电极18B在轴向对准并彼此分开的同时固定,其中至少第一电极18A,第一电极18A和第二电极18B的一个端面26Aa 至少第一导体16A位于比第一绝缘体14A的一个端面28Aa更靠内侧的第一中空部12A的内部。

    オゾン発生器
    3.
    发明专利
    オゾン発生器 审中-公开
    臭氧发生装置

    公开(公告)号:JP2015137215A

    公开(公告)日:2015-07-30

    申请号:JP2014011110

    申请日:2014-01-24

    CPC classification number: C01B13/115 C01B13/11 C01B2201/14 C01B2201/40

    Abstract: 【課題】使用環境の湿度が高くなっても、オゾン発生の変化が少なく、幅広い湿度環境(絶対湿度0〜50g/m 3 )において安定したオゾン発生を得ることができるオゾン発生器を提供する。 【解決手段】2つの電極20が所定のギャップ長Dgを隔てて配置された1以上の電極対16を有し、電極対16の少なくとも2つの電極20間に原料ガス12を通過させ、2つの電極20間に放電を発生させることで、オゾンを発生させるオゾン発生器10において、電極20は、中空部30を有する筒状の誘電体32と、該誘電体32の中空部30内に位置された導体34とを有する。ギャップ長Dgは1.0mm未満である。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供能够在宽范围的湿度环境(绝对湿度为0〜50g / m)下稳定地生产臭氧的臭氧发生装置,臭氧产生性能即使在高温下也发生变化, 湿度环境。解决方案:臭氧发生装置10包括一个或多个电极对16,每个电极对16包含布置在预定间隙长度Dg的距离处的两个电极20。 在臭氧发生装置中,当源气体12至少在电极对16的两个电极20之间流动时,产生臭氧,并且在两个电极20之间产生放电。每个电极20包含管状绝缘体32,其具有中空 部分30和设置在电介质体32的中空部分30中的导电体34.间隙长度Dg小于1.0mm。

    オゾン発生器
    5.
    发明专利
    オゾン発生器 审中-公开
    臭氧发生器

    公开(公告)号:JP2016042752A

    公开(公告)日:2016-03-31

    申请号:JP2014165349

    申请日:2014-08-15

    CPC classification number: C01B13/11 C01B2201/90

    Abstract: 【課題】スイッチング損失やノイズの低減をさらに図ることができ、スイッチング効率並びにオゾンの発生効率を高めることができるオゾン発生器を提供する。 【解決手段】トランス12と、トランス12の一次側に接続された直流電源部14と、トランス12の二次側に接続された反応器16と、トランス12の一次巻線の一端と直流電源部14との間に接続された半導体スイッチ22と、半導体スイッチ22を設定されたスイッチング周波数でオン/オフ制御することで、反応器16に電圧を印加する制御回路24と、を有し、反応器16内が容易に放電する条件に設定されている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够进一步抑制开关损耗和噪声,提高开关效率和臭氧发生效率的臭氧发生器。解决方案:臭氧发生器包括:变压器12; 与变压器12的一次侧连接的直流电源部14; 与变压器12的次级侧连接的电抗器16; 连接在变压器12的初级绕组的一端和直流电源部14之间的半导体开关22; 以及控制电路24,用于通过以预定的开关频率通电控制半导体开关22向电抗器16施加电压,并且被设置在反应器16的内部容易放电的条件下。图1

    オゾン発生器
    6.
    发明专利
    オゾン発生器 有权
    臭氧发生装置

    公开(公告)号:JP2015137216A

    公开(公告)日:2015-07-30

    申请号:JP2014011117

    申请日:2014-01-24

    Abstract: 【課題】放電によって発生したオゾンが、再び放電にさらされるということが抑制され、O原子との反応による分解反応や、水分子やOHとの反応による分解反応が起き難く、オゾン発生の低減を少なくすることができるオゾン発生器を提供する。 【解決手段】2つの電極が所定のギャップ長を隔てて配置された1以上の電極対と、2つの電極間に交流電圧を印加する電源とを有し、電極対の少なくとも2つの電極間に原料ガスを通過させ、2つの電極間に放電を発生させることで、オゾンを発生させるオゾン発生器において、2つの電極で挟まれた空間が放電空間であり、放電空間を通過する原料ガスの流速をV(m/s)、交流電圧の周波数をf(Hz)、放電空間のうち、原料ガスの流れの主方向に沿った長さをL(m)としたとき、0.5
    【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种臭氧发生装置,其中可以防止由放电产生的臭氧再次暴露出来,并且臭氧几乎不能通过与O原子的反应和与水分子和OH基团的反应而分解, 从而抑制臭氧产生的减少。解决方案:臭氧发生装置包括:一个或多个电极对,每个电极对包括布置在预定间隙长度的距离处的两个电极; 以及用于在两个电极之间施加交流电压的电源。 在臭氧发生装置中,当原料气体至少在电极对的两个电极之间流动并且在两个电极之间产生放电时,产生臭氧。 臭氧发生装置具有在两个电极之间形成的放电空间,臭氧发生装置满足0.5

    電極構造体
    8.
    发明专利
    電極構造体 审中-公开
    电极结构

    公开(公告)号:JP2016098164A

    公开(公告)日:2016-05-30

    申请号:JP2014238792

    申请日:2014-11-26

    CPC classification number: C01B13/11 C01B2201/22

    Abstract: 【課題】一定のオゾン発生量に対して、電極数が少なくて済み、サイズの小型化、圧損の低減化を図ることができ、コストの低減化も実現することができる電極構造体を提供する。 【解決手段】第1電極構造体10Aは、複数の電極対34を有する電極構造体であって、複数の電極対34を構成する複数の電極12のうち、少なくとも1つの電極12が、複数の電極対34で共通とされた共通電極36を構成する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:为了提供每固定量生成的臭氧仅需要少量电极的电极结构,可以减小尺寸和压力损失,并且还可以实现成本降低。解决方案:第一电极结构10A是 具有多个电极对34的电极结构。构成多个电极对34的多个电极12中的至少一个电极12构成多个电极对34共用的公共电极36.选择的图:图1

    半導体装置
    9.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:JP2016187006A

    公开(公告)日:2016-10-27

    申请号:JP2015066957

    申请日:2015-03-27

    Abstract: 【課題】フィールドリミッティングリング(FLR)を有する半導体装置において、FLR内の電界集中の抑制と、クリープ現象の発生の抑制を図ることができ、デバイス特性の劣化を抑えることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体領域20と、該半導体領域20に埋め込まれた埋込みゲート領域26と、半導体領域20のうち、埋込みゲート領域26の周りに形成された電界緩和領域16とを有する半導体装置10であって、電界緩和領域16は、1本以上のFLR18を有し、半導体領域20の表面とFLR18との間に、高濃度のp型不純物領域42が形成されている。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够抑制FLR中的电场浓度和产生蠕变现象并抑制器件特性劣化的具有场限制环(FLR)的半导体器件。解决方案:提供一种半导体 装置10包括:半导体区域20; 嵌入在半导体区域20中的嵌入栅极区域26; 以及在半导体区域20中围绕嵌入的栅极区域26形成的电场弛豫区域16.电场弛豫区域16具有一个或多个FLR 18。在高分辨率p型杂质区域42之间形成高浓度p型杂质区域42 半导体区域20和FLR 18的表面。选择的图示:图2

    電極及び電極構造体
    10.
    发明专利
    電極及び電極構造体 审中-公开
    电极和电极结构

    公开(公告)号:JP2016132576A

    公开(公告)日:2016-07-25

    申请号:JP2015005892

    申请日:2015-01-15

    CPC classification number: C25B11/02 H05H1/2406 H05H2001/2418 H05H2001/2431

    Abstract: 【課題】導電体(導体)のエッジ部での不要放電の集中を回避して、絶縁体(誘電体)の破損を防止することができ、信頼性の向上を図ることができる電極及び電極構造体を提供する。 【解決手段】中空部12(第1中空部12a及び第2中空部12b)を有する筒状の絶縁体14と、該絶縁体14の中空部12内に配された導体16とを有し、少なくとも導体16の一方の端面16aのエッジ部18が絶縁体14で被覆されている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够通过避免在导电体(导体)的边缘部分处的不必要的放电的集中来防止绝缘体(电介质)断裂的电极和电极结构,并且提高可靠性。解决方案:电极具有 具有中空部分12(第一中空部分12a和第二中空部分12b)的圆柱形绝缘体14和布置在绝缘体14的中空部分12中的导体16.在至少一个边缘面16a上的边缘部分18 导体16被绝缘体14涂覆。选择的图示:图1

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