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公开(公告)号：CN105612821A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055474.4
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/423 , H05K3/0026 , H05K3/0035 , H05K3/421 , H05K3/4652 , H05K2201/0355 , H05K2201/09863 , H05K2201/2072 , H05K2203/1184 , H05K2203/1476 , H05K2203/1492
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有：工序(1)，使用敷形法或直接激光法，设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内形成填充电镀层来形成通孔，所述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行：在所述填充电镀层堵住所述通孔用孔的开口部之前将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行两次以上。
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公开(公告)号：CN105612819A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055472.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/4652 , H05K3/0026 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K3/422 , H05K3/423 , H05K2201/0355 , H05K2201/0397 , H05K2201/09863 , H05K2201/2072 , H05K2203/1184 , H05K2203/1476
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有：工序(1)，使用敷形法或直接激光法，设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加。
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公开(公告)号：CN105612820B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201480055473.X
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/4652 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K3/421 , H05K3/422
Abstract: 一种多层配线基板及其制造方法，所述多层配线基板具有：贯通上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔、形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间、以及由填充电镀层填充所述层间连接用孔而成的层间连接，填充所述层间连接用孔的填充电镀层形成有两层以上，下方空间被所述两层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充，并且，由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部直径与开口部直径同等或其以上。
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公开(公告)号：CN107432087A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201580078601.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有如下工序：工序(1)，设置贯通绝缘层两侧的金属箔和绝缘层的通孔用孔、在该通孔用孔的开口部形成的绝缘层两侧的金属箔的突出、及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内和绝缘层两侧的金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋，是通过在填充电镀的过程中使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加来进行的。
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公开(公告)号：CN107432087B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201580078601.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有如下工序：工序(1)，设置贯通绝缘层两侧的金属箔和绝缘层的通孔用孔、在该通孔用孔的开口部形成的绝缘层两侧的金属箔的突出、及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内和绝缘层两侧的金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋，是通过在填充电镀的过程中使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加来进行的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105075411B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201480018681.2
申请日：2014-03-25
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/421 , C23C18/1653 , C23C18/405 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/123 , H05K1/0298 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/382 , H05K3/427 , H05K3/4652 , H05K3/4661 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/09545 , H05K2201/09563 , H05K2203/0353 , H05K2203/1423
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其在形成有配线的内层材上将绝缘层和在其上层的金属箔层叠一体化，在所述金属箔和绝缘层中设置通孔用孔，形成基底无电解镀层后，利用填充电镀层将所述通孔用孔填埋，其中，所述基底无电解镀层形成后，首先形成不完全填充所述通孔用孔程度的填充电镀层，接着将所述填充电镀层表面蚀刻，然后通过填充电镀层将所述通孔用孔完全填埋。
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公开(公告)号：CN105612821B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480055474.4
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/423 , H05K3/0026 , H05K3/0035 , H05K3/421 , H05K3/4652 , H05K2201/0355 , H05K2201/09863 , H05K2201/2072 , H05K2203/1184 , H05K2203/1476 , H05K2203/1492
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有：工序(1)，使用敷形法或直接激光法，设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内形成填充电镀层来形成通孔，所述工序(2)中填充电镀层的形成如下进行：在所述填充电镀层堵住所述通孔用孔的开口部之前将在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低后再使其增加的电流密度变化反复进行两次以上。
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公开(公告)号：CN105612819B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201480055472.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/4652 , H05K3/0026 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K3/422 , H05K3/423 , H05K2201/0355 , H05K2201/0397 , H05K2201/09863 , H05K2201/2072 , H05K2203/1184 , H05K2203/1476
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其具有：工序(1)，使用敷形法或直接激光法，设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间；以及工序(2)，通过在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔，所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行：在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低，再使其增加。
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公开(公告)号：CN105612820A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480055473.X
申请日：2014-09-24
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/4652 , H05K3/0035 , H05K3/0038 , H05K3/421 , H05K3/422
Abstract: 一种多层配线基板及其制造方法，所述多层配线基板具有：贯通上层配线用金属箔和绝缘层的层间连接用孔、形成于该层间连接用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、在该金属箔的突出与所述层间连接用孔的内壁之间形成的下方空间、以及由填充电镀层填充所述层间连接用孔而成的层间连接，填充所述层间连接用孔的填充电镀层形成有两层以上，下方空间被所述两层以上的填充电镀层中除最外层以外的任一层填充电镀层填充，并且，由除最外层以外的任一层填充电镀层所形成的层间连接的内部直径与开口部直径同等或其以上。
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公开(公告)号：CN105075411A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018681.2
申请日：2014-03-25
Applicant: 日立化成株式会社
Inventor： 吉田信之
CPC classification number: H05K3/421 , C23C18/1653 , C23C18/405 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D7/00 , C25D7/123 , H05K1/0298 , H05K1/0346 , H05K1/09 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/382 , H05K3/427 , H05K3/4652 , H05K3/4661 , H05K2201/0154 , H05K2201/0355 , H05K2201/09545 , H05K2201/09563 , H05K2203/0353 , H05K2203/1423
Abstract: 一种多层配线基板的制造方法，其在形成有配线的内层材上将绝缘层和在其上层的金属箔层叠一体化，在所述金属箔和绝缘层中设置通孔用孔，形成基底无电解镀层后，利用填充电镀层将所述通孔用孔填埋，其中，所述基底无电解镀层形成后，首先形成不完全填充所述通孔用孔程度的填孔电镀层，接着将所述填充电镀层表面蚀刻，然后通过填充电镀层将所述通孔用孔完全填埋。
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