Patent search ap:("日立化成株式会社") AND inv:"增子崇" Page 1

1.

发明授权
半导体装置及其制造方法和挠性树脂层形成用树脂组合物有权

公开(公告)号：CN106663638B

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201580046120.8

申请日：2015-11-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 柴田智章 , 赖华子 , 峰岸知典 , 阿部秀则 , 增子崇 , 大竹俊亮

IPC: H01L21/56 , H01L23/29 , H05K3/28 , C08J5/18 , C08L25/04 , C08L75/04

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备具有将电路部件密封的挠性树脂层的电路基板。该方法可具备：通过在密封材料中浸渍挠性基板并将其干燥而用密封材料密封电路部件的工序；和通过使密封材料固化而形成挠性树脂层的工序。

2.

发明公开
粘接物的制造方法、带有粘接剂图案的基板的制造方法及带有粘接剂图案的基板无效

公开(公告)号：CN103380491A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280007691.7

申请日：2012-02-02

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 池田绫 , 藤井真二郎 , 增子崇 , 川守崇司

IPC: H01L21/52 , C09J5/00 , C09J201/00 , H01L23/02 , H01L27/14

CPC classification number: C09J5/00 , C09J7/35 , C09J2201/28 , C09J2201/61 , C09J2479/086 , H01L21/6835 , H01L2924/10253 , Y10T428/24802

Abstract: 本发明的粘接物的制造方法，其是第一被粘物与第二被粘物借助粘接剂图案被贴合的粘接物的制造方法，该制造方法包括：在第一被粘物上设置粘接剂层的工序；在粘接剂层的同与第一被粘物接触的面相反的一侧的面上设置保护粘接剂层的规定部分免受蚀刻影响的保护层，并在该状态下，通过对粘接剂层进行蚀刻而形成粘接剂图案的工序；以及使第二被粘物贴合于除去保护层后的粘接剂图案的工序。

3.

发明公开
散热性芯片接合膜及切割-芯片接合膜有权

公开(公告)号：CN110945634A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048265.5

申请日：2018-07-13

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 上野惠子 , 增子崇 , 管井颂太

IPC: H01L21/52 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L23/36

Abstract: 本发明涉及散热性芯片接合膜，其是热导率为2W/(m·K)以上的散热性芯片接合膜，其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，切割工序中的刀片摩耗量为50μm/m以下；或者其含有莫氏硬度不同的2种以上的热导性填充物，热导性填充物的含量为20～85质量％。

4.

发明授权
感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、半导体晶片和半导体装置失效

公开(公告)号：CN103257527B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310088478.X

申请日：2009-07-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 满仓一行 , 川守崇司 , 增子崇 , 加藤木茂树

IPC: G03F7/004 , G03F7/037 , C09J4/02 , C09J4/06 , C09J7/00 , C09J7/02 , H01L23/18

CPC classification number: C08G73/1042 , C08G73/1046 , C08G73/106 , C08G73/1082 , C08L63/00 , C08L79/08 , C08L2666/02 , C08L2666/22 , C09J7/20 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J9/00 , C09J163/00 , C09J179/08 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2479/00 , C09J2479/08 , G03F7/0387 , G03F7/0388 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/274 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/16235 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/24479 , Y10T428/2809 , Y10T428/31504 , H01L2924/07025 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种感光性粘接剂组合物，其含有（A）热塑性树脂、（B）热固性树脂、（C）放射线聚合性化合物和（D）光引发剂，所述（C）放射线聚合性化合物包含具有乙烯性不饱和基团和环氧基的化合物。

5.

发明公开
粘接膜和划片膜-芯片接合膜无效

公开(公告)号：CN108699402A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012916.0

申请日：2017-01-25

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 赖华子 , 增子崇

IPC: C09J7/10 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J133/00 , C09J133/14 , C09J163/00 , C09J163/10 , H01L21/301 , H01L21/52

CPC classification number: C09J7/00 , C09J7/20 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J133/00 , C09J133/14 , C09J163/00 , C09J163/10 , H01L21/52

Abstract: 一种粘接膜，其含有：(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α‑氧化铝填料，其中，所述(d)α‑氧化铝填料含有纯度为99.90质量％以上的多面体的α‑氧化铝填料，所述(d)α‑氧化铝填料的含量是相对于(a)丙烯酸类树脂、(b)环氧树脂、(c)固化剂和(d)α‑氧化铝填料的总量100质量份为60～95质量份。

6.

发明公开
半导体装置及其制造方法和挠性树脂层形成用树脂组合物有权

公开(公告)号：CN106663638A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580046120.8

申请日：2015-11-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 柴田智章 , 赖华子 , 峰岸知典 , 阿部秀则 , 增子崇 , 大竹俊亮

IPC: H01L21/56 , H01L23/29 , H05K3/28 , C08J5/18 , C08L25/04 , C08L75/04

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具备具有将电路部件密封的挠性树脂层的电路基板。该方法可具备：通过在密封材料中浸渍挠性基板并将其干燥而用密封材料密封电路部件的工序；和通过使密封材料固化而形成挠性树脂层的工序。

7.

发明授权
感光性粘接剂失效

公开(公告)号：CN101884104B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200880119113.6

申请日：2008-12-02

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 增子崇 , 川守崇司 , 满仓一行 , 加藤木茂树

IPC: H01L25/065 , C09J4/00 , C09J179/08 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: C09J4/00 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08L71/02 , C08L79/08 , C08L2666/20 , C08L2666/22 , C09J171/02 , C09J179/08 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/05554 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

Abstract: 本发明的感光性粘接剂，其是通过曝光及显影来形成图案后对于被粘接物具有粘接性、可以碱显影的感光性粘接剂，用于具有以下工序的半导体装置100的制造方法，所述工序是：通过曝光及显影将设置于半导体芯片20的电路面上的感光性粘接剂1形成图案的工序，和将其他的半导体芯片21与形成图案后的所述感光性粘接剂1直接粘接的工序。

8.

发明授权
半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN102290334B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110153300.X

申请日：2006-06-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 川守崇司 , 增子崇 , 加藤木茂树 , 安田雅昭

IPC: H01L21/20 , H01L21/762 , H01L27/146

CPC classification number: H01L23/488 , C09J179/08 , G03F7/037 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , Y10T156/1002 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法，其包括：粘接剂层形成工序：通过把粘接薄膜贴附在半导体晶圆上，在所述半导体晶圆上形成粘接剂层；粘接剂图案形成工序：通过对该粘接剂层进行曝光和显影处理，形成粘接剂图案；粘接工序：隔着所述粘接剂图案将被粘接物粘接在所述半导体晶圆上。该半导体装置的制造方法可以用在较低温度下进行半导体装置的制造。