公开(公告)号：CN103250235A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180057887.2

申请日：2011-11-29

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森修一

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种带粘接剂层的半导体晶片，其具备半导体晶片和形成于半导体晶片的一个面上的粘接剂层，粘接剂层形成在比半导体晶片的周缘部更靠近内侧处。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体晶片的一个面的比周缘部更靠近内侧处形成由粘接剂形成的粘接剂层的工序；和对粘接剂层进行B阶化的工序。

公开(公告)号：CN109153155A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031301.2

申请日：2017-05-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森修一 ,  田村辽 ,  尾友竹夫 ,  佐佐木和歌

IPC: B29C33/68 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20 ,  B32B27/36 ,  H01L21/56

Abstract: 一种脱模膜，其具有基材、以及设置于所述基材上且包含树脂成分和填料的脱模层，所述填料的体积平均粒径A(μm)与所述脱模层的每1m2的质量B(g/m2)之比(A/B)小于或等于1。

公开(公告)号：CN103053016A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180037917.3

申请日：2011-07-29

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 森修一 ,  藤井真二郎 ,  满仓一行

IPC: H01L21/52 ,  C09J4/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J4/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种带有粘接剂层的半导体晶片的制造方法，其包含通过丝网印刷法在半导体晶片的一面的整个表面涂布感光性粘接剂，形成感光性粘接剂层的工序；和通过曝光使所述感光性粘接剂层B阶化的工序。