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公开(公告)号：CN1105088C
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN98116271.1
申请日：1998-08-10
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B19/1484 , C03B19/1423 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2207/06 , C03B2207/12 , C03B2207/20 , C03B2207/30 , C03B2207/36 , C03B2207/66 , C03C3/06 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2203/46
Abstract: 提供在耐紫外线性能和折射率均匀性两方面都具有优异性能的石英玻璃的制造方法，基本上不合氯(C1)的石英玻璃的制造方法中包含自石英玻璃制喷嘴分别喷出四氟化硅(SiF4)气体、氧气和氢气的过程，四氟化硅(SiF4)气体与氧气和氢气反应生成的水进行反应产生石英玻璃微粒的过程，石英玻璃微粒在靶表面上堆积的过程，和把在靶表面上堆积的石英玻璃微粒熔融、玻璃化使之成为石英玻璃的过程，并且四氟化硅(SiF4)气体的喷出速度在9～20L·min-1·cm-2的范围内。
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公开(公告)号：CN1123766C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN98120134.2
申请日：1998-10-07
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01N17/004
Abstract: 提供光学部件对激元激光器照射的耐久性预测方法。求出考虑光学部件中的氢浓度和/或氯浓度、进行照射的激元激光器的能量密度和累计脉冲数的、光学部件的吸收系数与进行照射的激元激光器的累计脉冲数的关系在可能近似直线的直线区域的吸收系数的变化，以及考虑光学部件中的氢浓度和/或氯浓度和进行照射的激元激光器的能量密度的、光学部件的吸收成为饱和状态的饱和区域的吸收系数值，从根据这两者求出的透射率变化能够预测该光学部件的耐久性。
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公开(公告)号：CN1215031A
公开(公告)日：1999-04-28
申请号：CN98120254.3
申请日：1998-10-08
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B19/1415 , C03B2207/32 , C03B2207/34
Abstract: 控制高沸点硅化合物向合成炉的导入量,其方法是将压送气体送入液体原料泵10;将沸点高的有机硅化合物的原料液32通过液体流量计20供给气化器12。此原料液32送往气化器12的导入量由液体流量计20控制。在气化器12中,将雾化了的原料液32同输送气体相混合,再以高过有机硅化合物沸点10℃以上的高温加热,由此生成原料气体,再将其导入合炉14。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1213774A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98120134.2
申请日：1998-10-07
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01N17/004
Abstract: 提供光学部件对激元激光器照射的耐久性预测方法。求出考虑光学部件中的氢浓度和/或氯浓度、进行照射的激元激光器的能量密度和累计脉冲数的、光学部件的吸收系数与进行照射的激元激光器的累计脉冲数的关系在可能近似直线的直线区域的吸收系数的变化,以及考虑光学部件中的氢浓度和/或氯浓度和进行照射的激元激光器的能量密度的、光学部件的吸收成为饱和状态的饱和区域的吸收系数值,从根据这两者求出的透射率变化能够预测该光学部件的耐久性。
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公开(公告)号：CN1212954A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN98116271.1
申请日：1998-08-10
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B19/1484 , C03B19/1423 , C03B2201/07 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2207/06 , C03B2207/12 , C03B2207/20 , C03B2207/30 , C03B2207/36 , C03B2207/66 , C03C3/06 , C03C2201/12 , C03C2201/23 , C03C2203/46
Abstract: 提供在耐紫外线性能和折射率均匀性两方面都具有优异性能的石英玻璃的制造方法。基本上不含氯(Cl)的石英玻璃的制造方法中包含自石英玻璃制喷嘴分别喷出四氟化硅(SiF4)气体、氧气和氢气的过程,四氟化硅(SiF4)气体与氧气和氢气反应生成的水进行反应产生石英玻璃微粒的过程,石英玻璃微粒在靶上堆积的过程,和把在靶上堆积的石英玻璃微粒熔融、玻璃化使之成为石英玻璃的过程,并且四氟化硅(SiF4)气体的喷出速度在9～20slm/cm2的范围内。
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公开(公告)号：CN1226212C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02801814.1
申请日：2002-04-19
Applicant: 株式会社尼康
IPC: C03C3/06 , G02B1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C03C4/0071 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B19/1492 , C03B2201/07 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2207/00 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2203/40 , C03C2203/44 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , G02B1/02 , G02B13/143 , G03F7/70241 , G03F7/70958
Abstract: 本发明的石英玻璃元件是其中当其组成被表示为SiOx时，x不小于1.85，不大于1.95，其中其所包含的氢分子的浓度不小于1×1016分子/cm3，不大于5×1018分子/cm3，并且其中用1×104个ArF准分子激光脉冲、平均一个脉冲能量密度为2mJ/cm2照射结束之前立即测得的吸收系数A，与用该ArF准分子激光照射停止之后600秒的第二吸收系数B之间的差A-B，不大于0.002cm-1。当将该石英玻璃元件应用于投影曝光装置中的照明光学系统和/或投影光学系统时，能够实现均匀曝光，同时减小掩模原版表面以及晶片上曝光区域中的照度改变。
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公开(公告)号：CN1463256A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02801814.1
申请日：2002-04-19
Applicant: 株式会社尼康
IPC: C03C3/06 , G02B1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C03C4/0071 , C03B19/1423 , C03B19/1453 , C03B19/1492 , C03B2201/07 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2207/00 , C03C3/06 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2203/40 , C03C2203/44 , C03C2203/46 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , G02B1/02 , G02B13/143 , G03F7/70241 , G03F7/70958
Abstract: 本发明的石英玻璃元件是其中当其组成被表示为SiOx时，x不小于1.85，不大于1.95，其中其所包含的氢分子的浓度不小于1×1016分子/cm3，不大于5×1018分子/cm3，并且其中用1×104个ArF准分子激光脉冲、平均一个脉冲能量密度为2mJ/cm2照射结束之前立即测得的吸收系数A，与用该ArF准分子激光照射停止之后600秒的第二吸收系数B之间的差A－B，不大于0.002cm－1。当将该石英玻璃元件应用于投影曝光装置中的照明光学系统和/或投影光学系统时，能够实现均匀曝光，同时减小掩模原版表面以及晶片上曝光区域中的照度改变。
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公开(公告)号：CN1219515A
公开(公告)日：1999-06-16
申请号：CN98120822.3
申请日：1998-09-30
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B32/00 , C03B19/1453 , C03B2201/21 , C03B2207/32 , C03C3/06 , C03C2201/21 , C03C2203/40 , C03C2203/52 , C03C2203/54 , Y02P40/57
Abstract: 即使是以往的抑制二次光子吸收过程的石英玻璃,在用它构成装置时,存在不能获得充分的成像性能和生产率低的问题。本发明提供一种使溶解的氢分子浓度在5×1018(分子/cm3)以下,用受激准分子激光照射时实际上没有作为一次光子吸收和二次光子吸收的前驱体缺陷的石英玻璃部件。
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