基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN107026105A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201611203951.4

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN111816589B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202010674995.5

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN111816589A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010674995.5

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN107026105B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201611203951.4

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

Patent Agency Ranking