基板处理方法
    1.
    发明公开
    基板处理方法 审中-公开

    公开(公告)号:CN120048769A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510233050.2

    申请日:2019-11-25

    Abstract: 本发明的基板处理方法,其包含:干燥前处理液供给工序,其是将升华性物质溶解于溶剂中而成的溶液即干燥前处理液供给至形成有图案的基板的上表面,而在所述基板的所述上表面形成所述干燥前处理液的液膜;析出工序,其是通过使所述溶剂自所述液膜蒸发,而使所述升华性物质的固体在所述基板的所述上表面析出;膜厚减少速度测定工序,其是在所述析出工序中所述升华性物质的固体析出之前,测定通过所述溶剂的蒸发而所述液膜的厚度减少的速度即膜厚减少速度;减少速度判定工序,其是判定在所述膜厚减少速度测定工序中测定的所述膜厚减少速度是否为基准速度范围内;及升华工序,其是在所述减少速度判定工序中判定所述膜厚减少速度为所述基准浓度范围内的情形时,在所述析出工序结束后,使所述升华性物质的固体升华。

    基板处理方法及基板处理装置

    公开(公告)号:CN113228238B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN201980086789.8

    申请日:2019-11-25

    Abstract: 本发明的基板处理方法包含:干燥前处理液供给工序,其是将升华性物质溶解于溶剂中而成的溶液即干燥前处理液供给至形成有图案的基板的上表面,而在上述基板的上述上表面形成上述干燥前处理液的液膜;析出工序,其是通过使上述溶剂自上述液膜蒸发,而使上述升华性物质的固体在上述基板的上述上表面析出;浓度判定工序,其是在上述析出工序中上述升华性物质的固体析出之前,基于通过上述溶剂的蒸发而上述液膜的厚度减少的速度即膜厚减少速度,判定上述液膜中的上述升华性物质的浓度是否为基准浓度范围内;及升华工序,其是在上述浓度判定工序中判定上述液膜中的上述升华性物质的浓度为基准浓度范围内的情形时,在上述析出工序结束后,使上述升华性物质的固体升华。

    涂敷方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108067401B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201711077442.6

    申请日:2017-11-06

    Inventor: 藤原直澄

    Abstract: 本发明提供一种涂敷方法,该涂敷方法在直径是300毫米且主面形成有直立的多个图案要素的基板上,用处理液对该主面进行处理。用该处理液进行处理后,在该主面上进行填充材料溶液的涂敷。在填充材料溶液的涂敷处理中,通过向水平状态的基板的朝向上方的该主面供给纯水并旋转所述基板,形成覆盖该主面且厚度是5微米以下的纯水的液膜。然后,以每分钟300转以上且每分钟500转以下的转速旋转所述基板,并且向该主面的中央部供给包含水溶性的填充材料的填充材料溶液。由此,能够对用处理液进行处理后的基板的主面适当地涂敷填充材料溶液。

    涂敷方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108067401A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711077442.6

    申请日:2017-11-06

    Inventor: 藤原直澄

    CPC classification number: B05D1/002 B08B3/08 H01L21/67023 H01L21/67051

    Abstract: 本发明提供一种涂敷方法,该涂敷方法在直径是300毫米且主面形成有直立的多个图案要素的基板上,用处理液对该主面进行处理。用该处理液进行处理后,在该主面上进行填充材料溶液的涂敷。在填充材料溶液的涂敷处理中,通过向水平状态的基板的朝向上方的该主面供给纯水并旋转所述基板,形成覆盖该主面且厚度是5微米以下的纯水的液膜。然后,以每分钟300转以上且每分钟500转以下的转速旋转所述基板,并且向该主面的中央部供给包含水溶性的填充材料的填充材料溶液。由此,能够对用处理液进行处理后的基板的主面适当地涂敷填充材料溶液。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN111816589B

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202010674995.5

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

    衬底处理方法及衬底处理装置

    公开(公告)号:CN112236846A

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201980037650.4

    申请日:2019-06-12

    Abstract: 该衬底处理方法包括:混合升华性物质供给工序,将混合升华性物质供给到衬底的正面,该混合升华性物质是将具有升华性的第1升华性物质、具有比所述第1升华性物质低的蒸气压且具有升华性的第2升华性物质、及相对于所述第1升华性物质及所述第2升华性物质中的至少一种物质可溶的溶剂相互混合而成;凝固膜形成工序,就存在于所述衬底正面的所述混合升华性物质,形成包含所述第1升华性物质及所述第2升华性物质的凝固膜;以及升华工序,使所述凝固膜所包含的至少所述第1升华性物质升华。

    衬底处理方法及衬底处理装置

    公开(公告)号:CN112013633A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010482318.3

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包括下述工序:含有升华性物质的液膜形成工序,通过将含有升华性物质的液体向形成有图案的衬底的表面供给,从而在衬底的表面上形成将衬底的表面覆盖的含有升华性物质的液体的液膜,含有升华性物质的液体为包含不经液体即从固体变化为气体的升华性物质和使升华性物质溶解的溶剂的溶液;过渡状态膜形成工序,使溶剂从液膜蒸发而形成升华性物质的固体,由此在衬底的表面形成升华性物质的固体处于结晶化之前的结晶前过渡状态的过渡状态膜;和过渡状态膜除去工序,通过在将升华性物质的固体维持为结晶前过渡状态的同时、使衬底的表面上的升华性物质的固体升华,从而将过渡状态膜从衬底的表面除去。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN111816589A

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN202010674995.5

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN107026105B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201611203951.4

    申请日:2016-12-23

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置,通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体,在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体,在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口,该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方,使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。

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