公开(公告)号：JP6673466B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2018507217

申请日：2017-03-10

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡 隆宏 ,  菅 達典

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  H01G4/30 ,  C04B35/195 ,  H05K3/12

公开(公告)号：JP2018166218A

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：JP2018130083

申请日：2018-07-09

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 鷲見 高弘 ,  岡 隆宏 ,  山上 佳丈

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/1291 ,  H05K3/22 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/098 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2203/1126

Abstract: 【課題】ビア導体の端部の非晶質の浮き出しが抑えられ、実装電極のめっきによる形成を確実かつ容易に行なうことができる、セラミック配線基板、およびそのようなセラミック配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】セラミック配線基板(100)は、セラミック絶縁体(1)とビア導体(2)とを備える。セラミック絶縁体(1)は、結晶質と非晶質とを含む。ビア導体(2)は、金属と酸化物とを含む。結晶質と酸化物とは、少なくとも1種の金属元素を共通して含む。セラミック絶縁体(1)において、ビア導体(2)を取り囲んで隣接する厚さ5μmの筒状領域(3)での金属元素の濃度は、筒状領域以外の領域(4)での金属元素の濃度より高い。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2017163931A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2017009679

申请日：2017-03-10

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡 隆宏 ,  菅 達典

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  H01L23/13 ,  H01G4/30 ,  C04B35/195 ,  H05K3/12

Abstract: セラミック電子部品(100)は、セラミック配線基板であって、セラミック絶縁体(1)と、セラミック絶縁体(1)の表面に設けられた端子電極(2)とを備える。セラミック絶縁体(1)は、結晶質と非晶質とを含む。端子電極(2)は、金属と酸化物とを含む。結晶質と酸化物とは、少なくとも1種の金属元素を共通して含む。セラミック絶縁体(1)における端子電極(2)を取り囲む厚さ5μmの隣接領域での金属元素の濃度は、端子電極(2)から100μm離れた厚さ5μmの遠隔領域での金属元素の濃度より高い。

公开(公告)号：JP5880780B2

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：JP2015508181

申请日：2014-02-20

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 若木 純代 ,  鷲見 高弘 ,  岡 隆宏

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H05K3/28 ,  H05K3/46 ,  H01L23/00

CPC classification number: H05K1/0306 ,  C04B35/195 ,  C04B35/20 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/12 ,  H01L23/15 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/111 ,  H05K1/115 ,  H05K3/1291 ,  H05K3/4629 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/099 ,  H05K2201/09909 ,  Y02P70/611

公开(公告)号：JPWO2017187753A1

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：JP2017007182

申请日：2017-02-24

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡 隆宏 ,  山上 佳丈 ,  武森 祐貴 ,  岸田 和雄 ,  川上 弘倫

IPC: H05K3/46

Abstract: 本発明の多層セラミック基板は、低温焼結セラミック材料を含有し、かつ、積層された複数の基体層と、上記低温焼結セラミック材料の焼結温度では実質的に焼結しない金属酸化物を含有し、かつ、上記基体層の間に配置された複数の第1拘束層と、上記金属酸化物を含有し、かつ、上記基体層に接するように表面に配置された保護層と、を備え、上記保護層の表面部における上記金属酸化物の含有比率をX1、上記保護層の基体層との境界部における上記金属酸化物の含有比率をX2としたとき、X1>X2を満たすことを特徴とする。

公开(公告)号：JP6369560B2

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：JP2016558411

申请日：2016-04-15

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 鷲見 高弘 ,  岡 隆宏 ,  山上 佳丈

IPC: H05K3/46 ,  H05K3/40 ,  H05K1/11

CPC classification number: H05K1/0306 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/1291 ,  H05K3/22 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4061 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/098 ,  H05K2201/09809 ,  H05K2203/1126

公开(公告)号：JP6624282B2

公开(公告)日：2019-12-25

申请号：JP2018514149

申请日：2017-02-24

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡 隆宏 ,  山上 佳丈 ,  武森 祐貴 ,  岸田 和雄 ,  川上 弘倫

IPC: C04B35/64 ,  H05K3/46

公开(公告)号：JP6020728B2

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：JP2015529416

申请日：2014-05-14

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 岡 隆宏 ,  鷲見 高弘

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  C22C9/05 ,  B22F1/00 ,  H01G4/232 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H05K1/09 ,  H01B1/22

CPC classification number: B22F7/04 ,  C22C1/0425 ,  C22C32/00 ,  C22C9/05 ,  H01B1/22 ,  H01F17/00 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/043 ,  H01F41/046 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12