真空处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102762762B

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201180010394.3

    申请日:2011-02-16

    Abstract: 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中,设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置,并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内,对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。

    真空处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102762762A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201180010394.3

    申请日:2011-02-16

    Abstract: 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中,设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置,并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内,对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。

    真空处理装置、真空处理方法

    公开(公告)号:CN102112646A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130821.4

    申请日:2009-08-04

    Abstract: 提供一种具有不需要大型的真空排气装置的脱气室的真空处理装置。在脱气室内对处理对象物进行加热脱气,经由缓冲室运入处理室内并进行真空处理时,脱气室与排气速度小的真空排气系统连接,在1~100Pa的真空环境下进行脱气处理(时刻0~t2),接着令处理对象物向缓冲室移动,令缓冲室内的压力降低到与处理室内的压力相同程度(时刻t2~t3),将缓冲室与处理室连接,将处理对象物运入处理室内。若比较压力变化的推移,将利用排气速度大的真空排气装置将脱气室形成为高真空环境的现有技术的情况(曲线组B)和本发明的情况(曲线组A)相比,处理时间没有差别。

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