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公开(公告)号：CN102762762B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201180010394.3
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/30 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/10 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/305 , C23C14/30 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中，设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置，并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内，对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。
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公开(公告)号：CN101563479A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780033836.X
申请日：2007-09-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/30 , C23C14/081 , H01J2211/40
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，使用应用了皮尔斯式电子枪的真空蒸镀装置在被处理基板上形成蒸镀涂层时，使电子束向收容于真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点诱导，使在上述蒸发点的电子束的照射范围最适化，可以以更快的成膜速度形成优良的蒸镀涂层。作为使皮尔斯式电子枪的电子束向收容在真空槽内的蒸发源中的蒸镀材料的蒸发点偏向并诱导的装置，将形成相对于上述电子束的入射方向大致垂直且相对于上述蒸发源的电子束照射面大致平行的磁场的磁铁装置设在上述电子束照射面的背侧的真空槽外。将永久磁铁用于磁铁装置实现装置的小型化。其结果是，与将电子束偏向装置置于真空槽内的现有的装置相比，真空槽内变得简单。不会产生机械及磁性的干扰，可以将电子束的照射范围最适化。
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公开(公告)号：CN102762762A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180010394.3
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/30 , H01J37/06 , H01J37/065 , H01J37/10 , H01J37/147
CPC classification number: H01J37/305 , C23C14/30 , H01J37/21 , H01J2237/216 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明提供一种在高真空领域中也能够抑制电子束发散、防止蒸发率降低且稳定地成膜的真空处理装置。真空处理装置(蒸镀装置)(1)具有真空蒸镀室(50)、电子枪(20)和电子束聚集机构(150)。所述真空蒸镀室(50)中，设置有容纳蒸发材料(31)的蒸发源以及该蒸发材料(31)被加热并作为蒸镀膜被蒸镀的被处理部件(10)。所述电子枪与所述真空蒸镀室邻接设置，并发射对所述蒸发材料(31)加热的电子束。所述电子束聚集机构(150)设置于所述真空蒸镀室(50)内，对从电子枪(50)射出的所述电子束进行聚集。
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公开(公告)号：CN113330136B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202080007670.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/06 , C23C14/26 , C23C14/50 , C23C14/58 , C23C14/56 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的成膜装置包括：用于运送基板的运送部；成膜部，用于在由所述运送部运送的所述基板的成膜区域形成电解质膜；以及杂质去除部，用于与在所述成膜部中的成膜后由所述运送部运送的所述基板的所述电解质膜接触并去除所述成膜区域中包含的杂质。
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公开(公告)号：CN113330136A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202080007670.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/06 , C23C14/26 , C23C14/50 , C23C14/58 , C23C14/56 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的成膜装置包括：用于运送基板的运送部；成膜部，用于在由所述运送部运送的所述基板的成膜区域形成电解质膜；以及杂质去除部，用于与在所述成膜部中的成膜后由所述运送部运送的所述基板的所述电解质膜接触并去除所述成膜区域中包含的杂质。
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