公开(公告)号：CN101385113A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005621.7

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小方诚司 ,  福井了太 ,  横尾秀和 ,  西桥勉

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31703

Abstract: 提供一种单晶膜制造用的离子注入装置，以小型方式实现了离子束的稳定平行性和密度分布的高控制性。该单晶膜制造用的离子注入装置，从离子源(12)引出氢离子或者稀有气体离子(B)，利用第1扇形电磁铁(14)来选定所希望的离子(B)，利用扫描器(16)来扫描离子(B)，利用第2扇形电磁铁(18)使离子(B)平行化，注入到基板(20)，由此来制造单晶膜，其中，在第1扇形电磁铁(14)的入口侧焦点(F1)附近配置了离子源(12)。在此情况下，若将离子源(12)的引出部的开口做成圆形，并使第1扇形电磁铁(14)上的偏转面和垂直于该偏转面的面上的入口侧焦点一致，则通过第1扇形电磁铁(14)后的离子束(B)的束斑形状为圆形，并且在两个面上变得完全平行。