公开(公告)号：CN101211807A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710187713.3

申请日：2007-11-20

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 长谷部昭男 ,  本山康博 ,  成冢康则 ,  中村清吾 ,  河上贤司

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01R3/00 ,  G01R1/07342

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置的制造技术，在使用了具有根据此技术而形成的探针(probe)的探测器(薄膜探针)进行探针测试时，防止探测器及测试对象即晶片破损。在晶片(31)的主面上，在形成有金属膜(21A)的区域(包括孔33)及组装探卡时比接合环更外侧的区域上，选择性地堆积铜膜(37)之后，形成金属膜(21A)、聚酰亚胺膜(22)、配线(23)、聚酰亚胺膜(25)、配线(27)及聚酰亚胺膜(28)等。此后，通过除去晶片(31)及铜膜(37)，而获得可以充分确保高度的探针(7)。