半导体存储装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100392760C

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN03158901.4

    申请日:2003-09-08

    Abstract: 本发明提供一种内部数据传送过程中在外部CPU请求传送时能够进行冲突仲裁的,其闪速存储器和伪SRAM设于MCP内的半导体存储装置。在闪速存储器60和内装伪SRAM40的RAM10设于MCP的半导体装置中,作为对伪SRAM40的控制信号,规定控制闪速存储器60与伪SRAM40之间的数据传送的内部传送用控制信号和控制外部CPU70与伪SRAM40之间的数据传送的外部传送用控制信号。在闪速存储器60与伪SRAM40之间的内部数据传送过程中,外部CPU70向伪SRAM40请求存取时,RAM10内的闪速控制器20控制内部传送用控制信号,以中断其内部数据传送。

    半导体存储装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1495795A

    公开(公告)日:2004-05-12

    申请号:CN03158901.4

    申请日:2003-09-08

    Abstract: 本发明提供一种内部数据传送过程中在外部CPU请求传送时能够进行冲突仲裁的,其闪速存储器和伪SRAM设于MCP内的半导体存储装置。在闪速存储器60和内装伪SRAM40的RAM10设于MCP的半导体装置中,作为对伪SRAM40的控制信号,规定控制闪速存储器60与伪SRAM40之间的数据传送的内部传送用控制信号和控制外部CPU70与伪SRAM40之间的数据传送的外部传送用控制信号。在闪速存储器60与伪SRAM40之间的内部数据传送过程中,外部CPU70向伪SRAM40请求存取时,RAM10内的闪速控制器20控制内部传送用控制信号,以中断其内部数据传送。

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