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公开(公告)号:CN100481030C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200410062898.1
申请日:2004-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨系统科技
Abstract: 存储层(34)设置在通常的存储区域即存储层(22)以外,不能从外部读出数据。外部输入的信息存储到页面缓冲器(28)。比较电路(37)比较存储层(34)存储的安全信息和页面缓冲器(28)存储的信息,将该比较结果作为状态向外部输出。即使进行了非法拷贝时,由于存储层(34)的信息不能拷贝,因而外部装置通过参照状态,可容易地判定该半导体存储器是否被非法拷贝。
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公开(公告)号:CN1577628A
公开(公告)日:2005-02-09
申请号:CN200410062898.1
申请日:2004-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨系统科技
Abstract: 存储层(34)设置在通常的存储区域即存储层(22)以外,不能从外部读出数据。外部输入的信息存储到页面缓冲器(28)。比较电路(37)比较存储层(34)存储的安全信息和页面缓冲器(28)存储的信息,将该比较结果作为状态向外部输出。即使进行了非法拷贝时,由于存储层(34)的信息不能拷贝,因而外部装置通过参照状态,可容易地判定该半导体存储器是否被非法拷贝。
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公开(公告)号:CN100392760C
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN03158901.4
申请日:2003-09-08
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨电子元件设计
CPC classification number: G11C7/22 , G11C7/1006 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4096
Abstract: 本发明提供一种内部数据传送过程中在外部CPU请求传送时能够进行冲突仲裁的,其闪速存储器和伪SRAM设于MCP内的半导体存储装置。在闪速存储器60和内装伪SRAM40的RAM10设于MCP的半导体装置中,作为对伪SRAM40的控制信号,规定控制闪速存储器60与伪SRAM40之间的数据传送的内部传送用控制信号和控制外部CPU70与伪SRAM40之间的数据传送的外部传送用控制信号。在闪速存储器60与伪SRAM40之间的内部数据传送过程中,外部CPU70向伪SRAM40请求存取时,RAM10内的闪速控制器20控制内部传送用控制信号,以中断其内部数据传送。
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公开(公告)号:CN1495795A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN03158901.4
申请日:2003-09-08
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 株式会社瑞萨电子元件设计
CPC classification number: G11C7/22 , G11C7/1006 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4096
Abstract: 本发明提供一种内部数据传送过程中在外部CPU请求传送时能够进行冲突仲裁的,其闪速存储器和伪SRAM设于MCP内的半导体存储装置。在闪速存储器60和内装伪SRAM40的RAM10设于MCP的半导体装置中,作为对伪SRAM40的控制信号,规定控制闪速存储器60与伪SRAM40之间的数据传送的内部传送用控制信号和控制外部CPU70与伪SRAM40之间的数据传送的外部传送用控制信号。在闪速存储器60与伪SRAM40之间的内部数据传送过程中,外部CPU70向伪SRAM40请求存取时,RAM10内的闪速控制器20控制内部传送用控制信号,以中断其内部数据传送。
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