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公开(公告)号:CN114430707A
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202080065900.8
申请日:2020-09-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34 , G06N20/00
Abstract: 具备:取得包含基板在装置内的位置及在各单元内的经过时间的状态信息的状态信息取得部;具有预测在某个状态下对于进行是否从匣盒取出新的基板及搬送至哪个处理单元的行动的价值的预测模型,并将取得的状态信息作为输入,基于预测模型选择一个行动的行动选择部;以进行所选择的行动的方式发送指示信号的指示信号发送部;取得包含处理片数与等待时间的动作结果的动作结果取得部;及以处理片数越多且等待时间越短则报酬越大的方式基于取得的动作结果来计算报酬,并基于该报酬来更新预测模型的预测模型更新部。
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公开(公告)号:CN116209543A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202180065798.6
申请日:2021-08-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/18
Abstract: 本发明关于在用于研磨晶片、基板、面板等工件的研磨装置中使用的研磨垫的更换时期的决定的技术。研磨装置(1)具备:研磨台(5),该研磨台支承研磨垫(2);研磨头(7),该研磨头将工件(W)按压至研磨垫(2)的研磨面(2a);修整器(40),该修整器修整研磨垫(2)的研磨面(2a);检测传感器(60),该检测传感器构成为检测修整器(40)与研磨垫(2)的摩擦,且固定于修整器(40);及磨损监视装置(63),该磨损监视装置构成为根据检测传感器(60)的多个输出值来决定磨损指标值,且磨损指标值低于预定的下限值时发出警报信号。
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公开(公告)号:CN104802069A
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201510032404.3
申请日:2015-01-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , H01L21/304 , H01L21/67
CPC classification number: H01L22/12 , B24B37/013 , B24B37/042 , B24B49/00 , B24B49/16 , H01L21/30625 , H01L21/67219 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种研磨方法及研磨装置,在晶片等基板的研磨中产生错误的情况下,执行对该基板的膜厚进行测定的工序。研磨方法包括如下工序:对多个基板进行研磨,对研磨后的多个基板中预先被指定的至少一枚基板的膜厚进行测定,在对多个基板中任一基板进行研磨期间产生研磨错误时,测定该基板的膜厚。
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公开(公告)号:CN114430707B
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202080065900.8
申请日:2020-09-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34 , G06N20/00
Abstract: 具备:取得包含基板在装置内的位置及在各单元内的经过时间的状态信息的状态信息取得部;具有预测在某个状态下对于进行是否从匣盒取出新的基板及搬送至哪个处理单元的行动的价值的预测模型,并将取得的状态信息作为输入,基于预测模型选择一个行动的行动选择部;以进行所选择的行动的方式发送指示信号的指示信号发送部;取得包含处理片数与等待时间的动作结果的动作结果取得部;及以处理片数越多且等待时间越短则报酬越大的方式基于取得的动作结果来计算报酬,并基于该报酬来更新预测模型的预测模型更新部。
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公开(公告)号:CN104952775B
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201510135013.4
申请日:2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种能够通过针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理,而实现成品率提升的基板处理方法。该基板处理方法为,按照预先设定的配方选单,将基板依次搬送至多个处理部并进行预定的处理,该基板处理方法的特征为,在处理部处理基板时,将通过处理中断指令而中断处理的基板形成为待机状态,将配方选单定制化,按照定制化的配方选单,进行中断处理的基板的再处理、或按照预先设定的再处理用的配方选单,进行中断处理的基板的再处理。
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公开(公告)号:CN104802069B
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201510032404.3
申请日:2015-01-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , H01L21/304 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种研磨方法及研磨装置,在晶片等基板的研磨中产生错误的情况下,执行对该基板的膜厚进行测定的工序。研磨方法包括如下工序:对多个基板进行研磨,对研磨后的多个基板中预先被指定的至少一枚基板的膜厚进行测定,在对多个基板中任一基板进行研磨期间产生研磨错误时,测定该基板的膜厚。
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公开(公告)号:CN104952775A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510135013.4
申请日:2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种能够通过针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理,而实现成品率提升的基板处理方法。该基板处理方法为,按照预先设定的配方选单,将基板依次搬送至多个处理部并进行预定的处理,该基板处理方法的特征为,在处理部处理基板时,将通过处理中断指令而中断处理的基板形成为待机状态,将配方选单定制化,按照定制化的配方选单,进行中断处理的基板的再处理、或按照预先设定的再处理用的配方选单,进行中断处理的基板的再处理。
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