研磨装置及研磨垫的更换时期的决定方法

    公开(公告)号:CN116209543A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202180065798.6

    申请日:2021-08-05

    Abstract: 本发明关于在用于研磨晶片、基板、面板等工件的研磨装置中使用的研磨垫的更换时期的决定的技术。研磨装置(1)具备:研磨台(5),该研磨台支承研磨垫(2);研磨头(7),该研磨头将工件(W)按压至研磨垫(2)的研磨面(2a);修整器(40),该修整器修整研磨垫(2)的研磨面(2a);检测传感器(60),该检测传感器构成为检测修整器(40)与研磨垫(2)的摩擦,且固定于修整器(40);及磨损监视装置(63),该磨损监视装置构成为根据检测传感器(60)的多个输出值来决定磨损指标值,且磨损指标值低于预定的下限值时发出警报信号。

    基板处理方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104952775B

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201510135013.4

    申请日:2015-03-26

    Abstract: 本发明提供一种能够通过针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理,而实现成品率提升的基板处理方法。该基板处理方法为,按照预先设定的配方选单,将基板依次搬送至多个处理部并进行预定的处理,该基板处理方法的特征为,在处理部处理基板时,将通过处理中断指令而中断处理的基板形成为待机状态,将配方选单定制化,按照定制化的配方选单,进行中断处理的基板的再处理、或按照预先设定的再处理用的配方选单,进行中断处理的基板的再处理。

    研磨方法及研磨装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104802069B

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201510032404.3

    申请日:2015-01-22

    Abstract: 本发明提供一种研磨方法及研磨装置,在晶片等基板的研磨中产生错误的情况下,执行对该基板的膜厚进行测定的工序。研磨方法包括如下工序:对多个基板进行研磨,对研磨后的多个基板中预先被指定的至少一枚基板的膜厚进行测定,在对多个基板中任一基板进行研磨期间产生研磨错误时,测定该基板的膜厚。

    基板处理方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104952775A

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201510135013.4

    申请日:2015-03-26

    Abstract: 本发明提供一种能够通过针对在基板处理中接受处理中断指令而中断处理的基板进行再处理,而实现成品率提升的基板处理方法。该基板处理方法为,按照预先设定的配方选单,将基板依次搬送至多个处理部并进行预定的处理,该基板处理方法的特征为,在处理部处理基板时,将通过处理中断指令而中断处理的基板形成为待机状态,将配方选单定制化,按照定制化的配方选单,进行中断处理的基板的再处理、或按照预先设定的再处理用的配方选单,进行中断处理的基板的再处理。

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