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公开(公告)号:CN112658972A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011096050.6
申请日:2020-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/34 , B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上,垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。
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公开(公告)号:CN111829389A
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN202010222040.6
申请日:2020-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地除去附着于热交换器的底面的污垢的清洗装置和研磨装置。本发明的清洗装置对调整研磨垫(3)的表面温度的热交换器(11)进行清洗。该清洗装置具备:使热交换器(11)在该热交换器(11)能够与研磨垫(3)进行热交换的温度调整位置与使该热交换器(11)从研磨垫(3)的表面分离的退避位置之间移动的移动机构(16)、以及清洗移动到退避位置的热交换器(11)的底面的清洗机构(10)。退避位置位于研磨垫(3)的侧方,清洗机构(10)包括向移动到退避位置的热交换器(11)的底面喷射清洗液的至少一个清洗液喷嘴(28A)或能够浸渍热交换器(11)的底面的清洗槽(60)。
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公开(公告)号:CN112658972B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202011096050.6
申请日:2020-10-14
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/015 , B24B37/34 , B24B37/013 , B24B37/20
Abstract: 提供一种能够不在晶片等基板产生划痕等缺陷地对研磨垫的表面温度进行调节的研磨装置。研磨装置(PA)具备非接触型的垫温度调节装置(5)及垫温度测定器(10)。在研磨台(2)的旋转方向上,垫温度测定器(10)相邻配置在垫温度调节装置(5)的下游侧。
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公开(公告)号:CN112004640A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201980026985.6
申请日:2019-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨装置及包含这种研磨装置的研磨系统,该研磨装置具备测定用于研磨半导体晶圆等基板的研磨垫的表面性状的表面性状测定装置。研磨装置具备:测定研磨垫(2)的表面性状的表面性状测定装置(30);支承表面性状测定装置(30)的支承臂(50);及与支承臂(50)连结,使表面性状测定装置(30)从待避位置自动移动至测定位置的移动单元(53)。
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公开(公告)号:CN111829389B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202010222040.6
申请日:2020-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够有效地除去附着于热交换器的底面的污垢的清洗装置和研磨装置。本发明的清洗装置对调整研磨垫(3)的表面温度的热交换器(11)进行清洗。该清洗装置具备:使热交换器(11)在该热交换器(11)能够与研磨垫(3)进行热交换的温度调整位置与使该热交换器(11)从研磨垫(3)的表面分离的退避位置之间移动的移动机构(16)、以及清洗移动到退避位置的热交换器(11)的底面的清洗机构(10)。退避位置位于研磨垫(3)的侧方,清洗机构(10)包括向移动到退避位置的热交换器(11)的底面喷射清洗液的至少一个清洗液喷嘴(28A)或能够浸渍热交换器(11)的底面的清洗槽(60)。
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公开(公告)号:CN112004640B
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN201980026985.6
申请日:2019-04-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B49/02 , B24B49/12 , B24B53/017 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于研磨装置及包含这种研磨装置的研磨系统,该研磨装置具备测定用于研磨半导体晶圆等基板的研磨垫的表面性状的表面性状测定装置。研磨装置具备:测定研磨垫(2)的表面性状的表面性状测定装置(30);支承表面性状测定装置(30)的支承臂(50);及与支承臂(50)连结,使表面性状测定装置(30)从待避位置自动移动至测定位置的移动单元(53)。
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