公开(公告)号：CN1906120A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040441.9

申请日：2004-12-09

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 苏珊·A·阿里 ,  布鲁斯·K·瓦赫特曼 ,  迈克尔·朱蒂 ,  大卫·克内德勒

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/924

Abstract: 一种装置具有第一和第二晶片，以及在第一和第二晶片之间的导电沿。导电沿电气地且机械地连接第一晶片和第二晶片。另外，导电沿和第二晶片至少部分地密封第一晶片表面上的一区域。

公开(公告)号：CN1953933A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015730.8

申请日：2005-04-14

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 基兰·P·哈尼 ,  劳伦斯·E·费尔顿 ,  托马斯·基兰·努南 ,  苏珊·A·阿里 ,  布鲁斯·瓦赫特曼

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461

Abstract: 一种MEMS器件，具有至少一个从其衬底的顶面侧(具有MEMS结构)延伸至所述衬底的底面侧的导电路径。该至少一个导电路径贯穿所述衬底，以将底面侧与MEMS结构电连接。

公开(公告)号：CN1953933B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200580015730.8

申请日：2005-04-14

Applicant: 模拟设备公司

Inventor： 基兰·P·哈尼 ,  劳伦斯·E·费尔顿 ,  托马斯·基兰·努南 ,  苏珊·A·阿里 ,  布鲁斯·瓦赫特曼

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461

Abstract: 一种MEMS器件，具有至少一个从其衬底的顶面侧(具有MEMS结构)延伸至所述衬底的底面侧的导电路径。该至少一个导电路径贯穿所述衬底，以将底面侧与MEMS结构电连接。