公开(公告)号：CN103130179A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210510312.8

申请日：2012-12-03

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 野田隆一郎 ,  吉田隆司

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L1/10

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

公开(公告)号：CN103130179B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210510312.8

申请日：2012-12-03

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 野田隆一郎 ,  吉田隆司

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01L1/10

CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

Abstract: 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。

公开(公告)号：CN108387288A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810094314.0

申请日：2018-01-31

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田勇作 ,  新井崇 ,  砂川浩胜 ,  野田隆一郎

IPC: G01F23/14

CPC classification number: G01F23/164 ,  G01F23/0061 ,  G01F23/0076 ,  G01L19/0046 ,  G01L19/086 ,  G08B21/182

Abstract: 本发明的一个方式的水位计具有：第1通信部，其从能够对水压的绝对值进行测量的水压传感器装置接收表示所述水压的绝对值的第1无线信号；以及水位计算部，其基于由所述第1通信部接收到的所述第1无线信号所示的所述水压的绝对值和由气压计测量出的大气压，对水位进行计算。