公开(公告)号：CN107895742A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710922465.6

申请日：2017-09-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: 在本发明主题的第一方面，半导体装置包括：包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。

公开(公告)号：CN107799584A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。