公开(公告)号：CN108474115A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680075857.7

申请日：2016-12-21

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 香取重尊 ,  广木一亮 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  B05D3/10 ,  H01L21/365 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

CPC classification number: B05D3/10 ,  B05D1/30 ,  B05D1/60 ,  B05D3/002 ,  C23C16/409 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4486 ,  H01L51/44 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。

公开(公告)号：CN107799584A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN109643660A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p-型氧化物半导体，以及制造该p-型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p-型氧化物半导体。

公开(公告)号：CN107895742A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710922465.6

申请日：2017-09-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: 在本发明主题的第一方面，半导体装置包括：包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。