公开(公告)号：CN107895742A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710922465.6

申请日：2017-09-30

Applicant: 流慧株式会社

Inventor： 织田真也 ,  德田梨绘 ,  神原仁志 ,  河原克明 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/45 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: 在本发明主题的第一方面，半导体装置包括：包括含有镓的结晶性氧化物半导体的半导体层；以及位于半导体层上的肖特基电极。半导体层包括3mm2或以下的表面积。