制造半导体器件的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119905412A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202411442770.1

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括在导线键合步骤之后,确定关于导线的全部端部位于或者不位于键合区域内的质量的步骤。半导体芯片包括多个位置确定开口图案,该多个位置确定开口图案在平面图中被布置在位于主开口部分周围的区域中,该主开口部分包括键合区域。键合区域具有矩形形状,在平面图中该矩形形状的面积小于主开口部分的开口面积。键合区域由多个位置确定开口图案限定。

    半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块

    公开(公告)号:CN118352236A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202311681167.4

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请,可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域,第一区域中形成有MOSFET,第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中,并且基极区域被形成在第二区域的半导体衬底中。源极区域被形成在本体区域中,并且发射极区域被形成在基极区域中。第一列区域被形成在位于本体区域下方的半导体衬底中,并且第二列区域被形成在位于基极区域下方的半导体衬底中。

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