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公开(公告)号：CN100349261C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN02803997.1
申请日：2002-01-21
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
Inventor： 伊藤宪和
IPC: H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/509
Abstract: 本发明的目的是提供等离子体CVD法及装置，不需要基板的反转工程就可以在基板的两面形成膜厚均一性优良的薄膜。本发明的特征是在设有气体供给口和排气口的真空室内，配置至少2个具有供电部和接地部的感应耦合型电极，将按照使基板两面露出的方式保持着基板的外周端部的基板保持器插入配置在所述2个感应耦合型电极之间，经所述气体供给口导入薄膜形成用气体，对所述供电部供给高频电力，用来沿着所述感应耦合型电极产生等离子体，从而在基板的两面同时的或顺序地形成薄膜。而且，其特征还在于，将第二气体供给系统与所述真空室连接，在基板的两面同时或顺序地形成不同的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1729556A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200380106602.5
申请日：2003-10-15
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32091 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD，即化学气相生长法在配置于成膜室(15)内的衬底(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6)，成膜室(15)设置有分别配置了等离子体生成用的电极(40)的多个薄膜形成区(17u、17v、17w)，设有向该电极(40)供给电力的电力供给系统(36)、和有选择地将电力连接在各薄膜形成区(17u、17v、17w)的各个电极(40)上的切换装置(34)。通过这样的结构来提供合适的电力供给系统、气体供给系统和排气系统，同时，提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统，通过调整薄膜形成装置的工作状态，从而可以降低薄膜形成装置和薄膜形成系统的成本，而不降低积层膜形成工序的生产效率，并可以简化电力供给系统并节省设置面积的空间。
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公开(公告)号：CN1489782A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02803997.1
申请日：2002-01-21
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
Inventor： 伊藤宪和
IPC: H01L21/205 , B01J19/08 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/509
Abstract: 本发明的目的是提供等离子体CVD法及装置，不需要基板的反转工程就可以在基板的两面形成膜厚均一性优良的薄膜。本发明的特征是在设有气体供给口和排气口的真空室内，配置至少2个具有供电部和接地部的感应耦合型电极，将按照使基板两面露出的方式保持着基板的外周端部的基板保持器插入配置在所述2个感应耦合型电极之间，经所述气体供给口导入薄膜形成用气体，对所述供电部供给高频电力，用来沿着所述感应耦合型电极产生等离子体，从而在基板的两面同时的或顺序地形成薄膜。而且，其特征还在于，将第二气体供给系统与所述真空室连接，在基板的两面同时或顺序地形成不同的薄膜。
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公开(公告)号：CN100462477C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200380100884.8
申请日：2003-10-03
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/509 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN100380592C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200380106602.5
申请日：2003-10-15
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/50 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32091 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 本发明涉及一种利用等离子体CVD，即化学气相生长法在配置于成膜室(15)内的衬底(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6)，成膜室(15)设置有分别配置了等离子体生成用的电极(40)的多个薄膜形成区(17u、17v、17w)，设有向该电极(40)供给电力的电力供给系统(36)、和有选择地将电力连接在各薄膜形成区(17u、17v、17w)的各个电极(40)上的切换装置(34)。通过这样的结构来提供合适的电力供给系统、气体供给系统和排气系统，同时，提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法和薄膜形成系统，通过调整薄膜形成装置的工作状态，从而可以降低薄膜形成装置和薄膜形成系统的成本，而不降低积层膜形成工序的生产效率，并可以简化电力供给系统并节省设置面积的空间。
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公开(公告)号：CN1703533A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380100884.8
申请日：2003-10-03
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/509 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列，设置在腔室内，从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接，将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体，进行成膜。
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