公开(公告)号：CN1281255A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00121985.5

申请日：2000-06-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 伊藤睦祯 ,  小仓久雄 ,  大多健太郎 ,  石野和彦

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/09381 ,  H05K2201/10727 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是要提供能够加固安装强度的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件具有一个基底,基底设置有用于安装的通孔6A、6B,基底上安装一个半导体芯片。这些通孔中用于加固安装的通孔6A的内周边形成为朝向基底的侧表面方向暴露。

公开(公告)号：CN100472769C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200610161031.0

申请日：2006-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 伊藤睦祯

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体芯片；在暴露所述半导体芯片的端电极的至少一部分的情况下覆盖所述半导体芯片的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层；以及将所述半导体芯片的端电极经由所述第二绝缘层引出到与外部电路相连接的位置的重配线层；其中单独在所述端电极的存在区域或在覆盖从所述存在区域到所述第一绝缘层之上的区域中提供与所述端电极相连接的用于电镀的底层，并且所述重配线层的至少一部分是由在所述底层上形成的电镀层形成的。

公开(公告)号：CN1976015A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610161031.0

申请日：2006-12-04

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 伊藤睦祯

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体芯片；在暴露所述半导体芯片的端电极的至少一部分的情况下覆盖所述半导体芯片的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成的第二绝缘层；以及将所述半导体芯片的端电极经由所述第二绝缘层引出到与外部电路相连接的位置的重配线层；其中单独在所述端电极的存在区域或在覆盖从所述存在区域到所述第一绝缘层之上的区域中提供与所述端电极相连接的用于电镀的底层，并且所述重配线层的至少一部分是由在所述底层上形成的电镀层形成的。