公开(公告)号：CN107074528A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580046699.8

申请日：2015-06-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·斯顿珀尔 ,  B·施泰因 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00801

Abstract: 本发明提出一种层材料，该层材料特别好地适用于实现在MEMS构件(102)的层结构中的具有电极(7)的悬置的结构元件(31)。根据本发明所述悬置的结构元件(31)应至少部分由基于硅碳氮化物(Si1‑x‑yCxNy)的层组成。

公开(公告)号：CN113195401B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201980084152.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·赫费尔 ,  M·安贝格尔 ,  M·斯顿珀尔 ,  K·奥夫特丁格

IPC: B81B7/00 ,  B81C99/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有阻尼器结构的微机械设备的方法，该方法具有下述步骤：(A)提供具有背面的微机械晶片；(B)将液态的阻尼器材料涂覆到所述背面上；(C)将阴模压向所述背面，用以将至少一个阻尼器结构成形到所述阻尼器材料中；(D)使所述阻尼器材料固化；(E)取下所述阴模。

公开(公告)号：CN113195401A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980084152.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·赫费尔 ,  M·安贝格尔 ,  M·斯顿珀尔 ,  K·奥夫特丁格

IPC: B81B7/00 ,  B81C99/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种用于制造具有阻尼器结构的微机械设备的方法，该方法具有下述步骤：(A)提供具有背面的微机械晶片；(B)将液态的阻尼器材料涂覆到所述背面上；(C)将阴模压向所述背面，用以将至少一个阻尼器结构成形到所述阻尼器材料中；(D)使所述阻尼器材料固化；(E)取下所述阴模。