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公开(公告)号：CN102762490A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN102762490B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080055688.3
申请日：2010-11-22
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/10 , B81B2203/0118 , B81C3/001 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）（10）的方法，包括：提供封盖衬底（52），提供支撑衬底（12），在支撑衬底上沉积导电材料（22），图案化导电材料以形成间隙挡块（40，44）和触点，其中间隙挡块通过开口（36，38）与触点分隔，在触点上以及开口中形成键合材料（58），其中间隙挡块和触点防止键合材料延伸到开口外，以及通过形成键合材料的步骤将封盖衬底附接至支撑衬底。此外，描述了该结构。
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公开(公告)号：CN102356324B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080012403.8
申请日：2010-02-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/097 , G01P15/08 , B81B7/02 , B81B7/00
Abstract: 一种变换器(20)，包括被结合的传感器(28，30)，以形成垂直集成的构造。传感器(28)包括检测质量块(32)，可移动耦合至基板(36)的表面(34)并与基板(36)的表面(34)间隔开。传感器(30)包括检测质量块(58)，可移动地耦合至基板(56)的表面(60)并与基板(56)的表面(60)间隔开。基板(36，56)与面对基板(36)的表面(34)的基板(56)的表面(60)耦合。因此，检测质量块(58)面对检测质量块(32)。独立地制造传感器(28，30)且可以利用不同微机械加工技术来形成。传感器(28，30)利用晶片结合技术来顺序耦合(90)，以形成变换器(20)。变换器(20)的实施例可以包括沿一个、两个或三个正交轴感测且可以适用于检测在不同加速度感测范围的移动。
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公开(公告)号：CN102356324A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012403.8
申请日：2010-02-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/097 , G01P15/08 , B81B7/02 , B81B7/00
Abstract: 一种变换器(20)，包括被结合的传感器(28，30)，以形成垂直集成的构造。传感器(28)包括检测质量块(32)，可移动耦合至基板(36)的表面(34)并与基板(36)的表面(34)间隔开。传感器(30)包括检测质量块(58)，可移动地耦合至基板(56)的表面(60)并与基板(56)的表面(60)间隔开。基板(36，56)与面对基板(36)的表面(34)的基板(56)的表面(60)耦合。因此，检测质量块(58)面对检测质量块(32)。独立地制造传感器(28，30)且可以利用不同微机械加工技术来形成。传感器(28，30)利用晶片结合技术来顺序耦合(90)，以形成变换器(20)。变换器(20)的实施例可以包括沿一个、两个或三个正交轴感测且可以适用于检测在不同加速度感测范围的移动。
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