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公开(公告)号：KR1020070032965A
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020067027668
申请日：2005-06-23
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , H01J37/3255 , H01J2237/334
Abstract: Etching method and system capable of deep etching with a large mask selection ratio and an excellent anisotropy. The etching system comprises a floating electrode sustained in potentially floating state while facing a substrate electrode provided in a vacuum chamber, a material for forming an etching protection film provided on the side of the floating electrode facing the substrate electrode, and a control means for applying high frequency power intermittently to the floating electrode. In the etching method, a sputter film is formed on the substrate by applying high frequency power to the floating electrode using the material for forming an etching protection film provided on the side facing the substrate electrode of the floating electrode disposed oppositely to the substrate electrode as a target material and using only rare gas as main gas. Subsequently, application of high frequency power to the floating electrode is interrupted, the substrate is etched by introducing etching gas into the vacuum chamber, and formation of the sputter film on the substrate and etching of the substrate are repeated according to a scheduled sequence (Fig. 1).
Abstract translation: 蚀刻方法和系统能够以大的掩模选择比和优异的各向异性进行深度蚀刻。 该蚀刻系统包括：浮动电极，其面对设置在真空室中的衬底电极而可能处于浮动状态;用于形成蚀刻保护膜的材料，其设置在浮动电极的面向衬底电极的一侧;以及控制装置， 高频功率间歇地传送到浮动电极。 在该蚀刻方法中，通过使用设置在浮置电极的面向衬底电极的一侧上的用于形成蚀刻保护膜的材料向浮置电极施加高频电力，在衬底上形成溅射膜，所述浮置电极与衬底电极相对设置 目标材料和仅使用稀有气体作为主要气体。 随后，中断向浮动电极施加高频电力，通过向真空室中引入蚀刻气体来蚀刻衬底，并且根据预定顺序重复在衬底上形成溅射膜和蚀刻衬底（图5 1）。
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公开(公告)号：KR1020160138590A
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020167033046
申请日：2016-01-08
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/321 , H01J17/04 , H01J37/32568 , H01J2237/0206 , H01L21/3065 , H05H1/38 , H05H1/46 , H05H2001/2468 , H05H2001/4652 , H05H2001/4667 , H05H2001/469
Abstract: 본발명의플라즈마처리장치는, 내부의감압이가능하고, 상기내부에서피처리체에대해플라즈마처리되도록구성된챔버와, 상기챔버내에배치되어상기피처리체를재치하는평판형의제 1 전극과, 상기제 1 전극에대해제 1 주파수의바이어스전압이인가되도록구성된제 1 고주파전원과, 상기챔버외부에배치되어상기챔버의덮개를형성하는석영판을사이에두고상기제 1 전극과대향하도록배치된나선형의제 2 전극과, 상기덮개또는그 근방에배치된가스도입구에서상기챔버내에불소를함유하는프로세스가스를도입하는가스도입수단을구비하고, 상기제 2 전극에대해제 2 주파수의교류전압을인가하는제 2 고주파전원과, 상기제 2 주파수보다높은제 3 주파수의교류전압을인가하는제 3 고주파전원이전기적으로연결되어있어서, 2 종류의교류전압이동시에인가되도록구성되어있다.
Abstract translation: 根据本发明的等离子体处理装置设置有：能够减小压力并且以使被处理体在其中进行等离子体处理的方式配置的室; 平板状的第一电极，其设置在所述室中，并且所述被处理体被安装在所述平板状的第一电极上; 第一高频电源，被配置为向所述第一电极施加具有第一频率的偏置电压; 螺旋形第二电极，设置在与所述第一电极相对的所述腔室的外侧，跨越形成所述腔室的上盖的石英板; 以及气体引入装置，用于从设置在上盖或其附近的气体引入口将含氟处理气体引入到室中。 用于施加具有第二频率的交流电压的第二高频电源和用于施加具有高于第二频率的第三频率的交流电压的第三高频电源电连接到第二电极，以便 同时施加两个交流电压。
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公开(公告)号：KR1020100046041A
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020107004406
申请日：2008-08-05
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065 , C23C14/35
CPC classification number: H01L21/30655 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/354 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: [PROBLEMS] To provide a plasma processing method and a plasma processing apparatus having high coverage characteristics and excellent in-plane uniformity. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] At the time of depositing sputter particles sputtered from a target (31) by plasma on the surface of a substrate (W), the sputter particles are decomposed by plasma to generate active species, and then deposited on the surface of the substrate. Thus, film configuration similar to that formed by plasma CVD is obtained, and sputter film formation is performed with high coverage characteristics and excellent in-plane uniformity. Especially extremely high density plasma can be efficiently generated in a region with no magnetic field, since high frequency electric field and an annular magnetic neutral line (25) are used for plasma source. The plasma performs plasma processing with high in-plane uniformity by discretionarily adjusting the forming position and the size of the magnetic neutral line.
Abstract translation: 提供具有高覆盖特性和优异的面内均匀性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。 [解决问题的手段]在通过等离子体在基板（W）的表面上沉积从靶（31）溅射的溅射颗粒时，溅射颗粒通过等离子体分解以产生活性物质，然后沉积在表面上 的基底。 因此，获得与由等离子体CVD形成的膜构造相似的膜构造，并且以高覆盖特性和优异的面内均匀性进行溅射膜形成。 因为高频电场和环形磁中性线（25）用于等离子体源，所以在没有磁场的区域中可以有效地产生极高密度的等离子体。 等离子体通过任意调整磁性中性线的成形位置和尺寸来执行具有高的面内均匀性的等离子体处理。
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公开(公告)号：KR101721431B1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020167033046
申请日：2016-01-08
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/321 , H01J17/04 , H01J37/32568 , H01J2237/0206 , H01L21/3065 , H05H1/38 , H05H1/46 , H05H2001/2468 , H05H2001/4652 , H05H2001/4667 , H05H2001/469
Abstract: 본발명의플라즈마처리장치는, 내부의감압이가능하고, 상기내부에서피처리체에대해플라즈마처리되도록구성된챔버와, 상기챔버내에배치되어상기피처리체를재치하는평판형의제 1 전극과, 상기제 1 전극에대해제 1 주파수의바이어스전압이인가되도록구성된제 1 고주파전원과, 상기챔버외부에배치되어상기챔버의덮개를형성하는석영판을사이에두고상기제 1 전극과대향하도록배치된나선형의제 2 전극과, 상기덮개또는그 근방에배치된가스도입구에서상기챔버내에불소를함유하는프로세스가스를도입하는가스도입수단을구비하고, 상기제 2 전극에대해제 2 주파수의교류전압을인가하는제 2 고주파전원과, 상기제 2 주파수보다높은제 3 주파수의교류전압을인가하는제 3 고주파전원이전기적으로연결되어있어서, 2 종류의교류전압이동시에인가되도록구성되어있다.
Abstract translation: 本发明中，罐内的降低的压力，并且该腔室的等离子处理装置被配置为使得从内部被处理为对象的等离子处理，被放置在所述腔室和所述第一电极的板状用于安装加工对象物，其特征在于 第一高频电源，被配置为向腔室的一个电极施加第一频率的偏置电压和螺旋型 第一施加第二频率的交流电压施加到第二电极及气体导入装置，用于导入含有在所述腔室的氟的处理气体，在设置在所述第二电极和所述盖或在附近的气体入口 在第二高频电源和用于比第三频率和第二频率施加更高的交变电压的第三高频功率源是电连接到配置为使得将交流电压同时施加两种的 它可以控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102140001B1
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：KR1020187037684
申请日：2017-11-30
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H05K3/26
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公开(公告)号：KR101189847B1
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020107019298
申请日：2009-03-05
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 에칭 조건을 최적화해 에칭 개시부터 종료에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다.
본 발명과 관련되는 플라스마 처리 방법에 있어서는, 진공조 21내에 형성한 플라스마를 이용해 표면에 마스크 패턴이 형성된 기판 W를 에칭하는 공정과, 진공조 21내에 설치된 타겟재 30을 플라스마로 스팩터 해 기판 W에 형성된 에칭 패턴의 측벽부에 보호막을 형성하는 공정이 교대로 반복해진다. 상기 플라스마 처리 방법은, 기판 W에 대한 에칭 처리 및 보호막의 형성 처리를 포함한 플라스마 처리의 진행에 따라 자기 중성선 25의 반경을 변화시키는 것에 의해, 플라스마 처리의 개시부터 종료 사이에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지한다.Abstract translation: 它提供了一种能够通过优化蚀刻条件保持在端从蚀刻开始一均匀的面内分布的等离子处理方法。
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公开(公告)号：KR101117929B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020107004406
申请日：2008-08-05
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065 , C23C14/35
CPC classification number: H01L21/30655 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/354 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 커버리지 성질이 높고, 면내 균일성이 뛰어난 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리 장치를 제공한다.
플라스마에 의해 타겟(31)으로부터 이탈된 스파타 입자를 기판(W)의 표면에 퇴적시킬 때, 그 스파타 입자를 플라스마로 분해하여 활성종을 생성한 후, 기판 표면에 퇴적시킨다. 이에 의해, 플라스마 CVD와 유사한 성막 형태를 얻을 수 있어 커버리지 성질이 높고, 면내 균일성이 뛰어난 스파타 성막이 가능하다. 특히, 플라스마 소스로 고주파 전기장과 원형태 자기 중성선(25)을 이용하고 있기 때문에, 자기장 제로 영역에서 매우 높은 밀도의 플라스마를 효율 좋게 발생시킬 수 있다. 이 플라스마는, 자기 중성선의 형성 위치, 크기를 임의로 조정 함으로써 면내 균일성이 높은 플라스마 처리가 실현 가능하다.Abstract translation: 提供具有高覆盖特性和优异的面内均匀性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。
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公开(公告)号：KR1020100110886A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：KR1020107019298
申请日：2009-03-05
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/30655
Abstract: 에칭 조건을 최적화해 에칭 개시부터 종료에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다.
본 발명과 관련되는 플라스마 처리 방법에 있어서는, 진공조 21내에 형성한 플라스마를 이용해 표면에 마스크 패턴이 형성된 기판 W를 에칭하는 공정과, 진공조 21내에 설치된 타겟재 30을 플라스마로 스팩터 해 기판 W에 형성된 에칭 패턴의 측벽부에 보호막을 형성하는 공정이 교대로 반복해진다. 상기 플라스마 처리 방법은, 기판 W에 대한 에칭 처리 및 보호막의 형성 처리를 포함한 플라스마 처리의 진행에 따라 자기 중성선 25의 반경을 변화시키는 것에 의해, 플라스마 처리의 개시부터 종료 사이에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지한다.-
公开(公告)号：KR100804858B1
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：KR1020067027668
申请日：2005-06-23
Applicant: 가부시키가이샤 아루박
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00595 , B81C2201/014 , H01J37/3255 , H01J2237/334
Abstract: Etching method and system capable of deep etching with a large mask selection ratio and an excellent anisotropy. The etching system comprises a floating electrode sustained in potentially floating state while facing a substrate electrode provided in a vacuum chamber, a material for forming an etching protection film provided on the side of the floating electrode facing the substrate electrode, and a control means for applying high frequency power intermittently to the floating electrode. In the etching method, a sputter film is formed on the substrate by applying high frequency power to the floating electrode using the material for forming an etching protection film provided on the side facing the substrate electrode of the floating electrode disposed oppositely to the substrate electrode as a target material and using only rare gas as main gas. Subsequently, application of high frequency power to the floating electrode is interrupted, the substrate is etched by introducing etching gas into the vacuum chamber, and formation of the sputter film on the substrate and etching of the substrate are repeated according to a scheduled sequence (Fig. 1).
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