公开(公告)号：KR101189847B1

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：KR1020107019298

申请日：2009-03-05

Applicant: 가부시키가이샤 아루박

Inventor： 모리카와야스히로 ,  스코우코우 ,  무라야마타카히데

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655

Abstract: 에칭 조건을 최적화해 에칭 개시부터 종료에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다.
본 발명과 관련되는 플라스마 처리 방법에 있어서는, 진공조 21내에 형성한 플라스마를 이용해 표면에 마스크 패턴이 형성된 기판 W를 에칭하는 공정과, 진공조 21내에 설치된 타겟재 30을 플라스마로 스팩터 해 기판 W에 형성된 에칭 패턴의 측벽부에 보호막을 형성하는 공정이 교대로 반복해진다. 상기 플라스마 처리 방법은, 기판 W에 대한 에칭 처리 및 보호막의 형성 처리를 포함한 플라스마 처리의 진행에 따라 자기 중성선 25의 반경을 변화시키는 것에 의해, 플라스마 처리의 개시부터 종료 사이에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지한다.

Abstract translation: 它提供了一种能够通过优化蚀刻条件保持在端从蚀刻开始一均匀的面内分布的等离子处理方法。

公开(公告)号：KR1020100110886A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：KR1020107019298

申请日：2009-03-05

Applicant: 가부시키가이샤 아루박

Inventor： 모리카와야스히로 ,  스코우코우 ,  무라야마타카히데

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/34 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/30655

Abstract: 에칭 조건을 최적화해 에칭 개시부터 종료에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다.
본 발명과 관련되는 플라스마 처리 방법에 있어서는, 진공조 21내에 형성한 플라스마를 이용해 표면에 마스크 패턴이 형성된 기판 W를 에칭하는 공정과, 진공조 21내에 설치된 타겟재 30을 플라스마로 스팩터 해 기판 W에 형성된 에칭 패턴의 측벽부에 보호막을 형성하는 공정이 교대로 반복해진다. 상기 플라스마 처리 방법은, 기판 W에 대한 에칭 처리 및 보호막의 형성 처리를 포함한 플라스마 처리의 진행에 따라 자기 중성선 25의 반경을 변화시키는 것에 의해, 플라스마 처리의 개시부터 종료 사이에 걸쳐서 균일한 면내 분포를 유지한다.