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公开(公告)号：KR101828164B1
公开(公告)日：2018-02-12
申请号：KR1020160097408
申请日：2016-07-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01G11/24 , G01J1/429 , G01N27/4075 , H01G11/26 , H01G11/36 , H01G11/40 , H01G11/46 , H01G11/52 , H01G11/56 , Y02E60/13
Abstract: 본발명은탄소섬유전극, 이를포함하는와이어형태의수퍼커패시터, 및상기수퍼커패시터를포함하는 NO센서및 자외선센서에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 탄소섬유가닥들이머리땋기형식으로꼬여서와이어형태로제조된탄소섬유전극, 이를포함하는와이어형태의수퍼커패시터, 및상기수퍼커패시터를포함하는 NO센서및 자외선센서에관한것이다. 본발명에따르면, 간편한제작공정에의해서제작되어실제의류등에용이하게적용될수 있으면서도, 우수한전극용량및 구조적안정성을지니고, 다양한웨어러블장치에용이하게적용이가능한탄소섬유전극, 이를포함하는와이어형태의수퍼커패시터, 및상기수퍼커패시터를포함하는 NO센서및 자외선센서를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101561961B1
公开(公告)日：2015-10-20
申请号：KR1020140031941
申请日：2014-03-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 휘어짐이나늘임가능한수퍼커패시터및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른수퍼커패시터는휘어짐이나늘임가능한기판, 상기기판위에형성된금속집전체, 상기집전체상의전극, 및전해질을포함하고, 상기전극은탄소기반물질과산화금속의혼합물로이루어진것을특징으로한다. 본발명에따르면, 높은에너지밀도와출력밀도를가지는전극물질을간단한방법으로합성할수 있으며, 반도체공정의기술과스프레이코팅기술을응용하여전극물질을평면상에간편하게원하는형태로전극의제작이가능하다. 이러한기술을바탕으로전고체상이면서휘어짐이나늘임가능한박막형수퍼커패시터를제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101064380B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090017295
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 슬라이딩 전이 방법을 이용한 나노선 패턴의 전이 방법 및 이를 위한 나노선 패턴 전이 장치에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 나노선 패턴 전이 방법은 (a)제1기판 상에 PMMA 패턴을 형성하는 단계; (b)제2기판에 나노선을 형성하는 단계; 및 (c)상기 제1기판 및 제2기판 중 어느 하나의 기판을 고정하고, 다른 하나의 기판을 슬라이딩시켜, 제2기판에 형성된 나노선을 제1기판의 PMMA 패턴 상에 전이하는 단계를 포함하여 이루어진다.
한편, 본 발명에 따른 슬라이딩 전이 장치는 상부판 및 하부판이 연직방향의 복수의 지지대로 연결되는 구조를 갖는 하우징; 상기 상부판을 관통하여 형성되며, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 간격을 조절하는 높이 조절부; 상기 높이 조절부 하부에 형성되며, 상기 제2기판이 고정되는 상부 홀더; 상기 하부판 상에 형성되며, xy 좌표에서 이동하는 슬라이딩 스테이지부; 상기 슬라이딩 스테이지부 상에 형성되며, 상기 제1기판이 고정되는 하부 홀더; 및 상기 슬라이딩 스테이지부의 이동을 제어하는 제어부를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100951796B1
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020080002156
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 고분자 도장을 이용한 기판 코팅 방법에 관한 것이다. 본 발명은 제1 패턴을 갖는 실리콘 마스터를 제공하는 단계, 상기 실리콘 마스터를 주형으로 상부측에 상기 제1 패턴과 역방향의 패턴(제2 패턴)을 갖는 고분자 도장을 형성하는 단계, 상기 고분자 도장의 제2 패턴 영역에 클로로포름에 용해되는 고분자 막을 전이시키는 단계 및 미리 설정된 조건 하에서, 미세접촉인쇄를 이용하여 상기 고분자 도장의 고분자 막을 기판 상에 전이시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면 간단한 공정으로 기판 상에 고분자 막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
랑뮈어-쉐퍼, 미세접촉인쇄, 고분자, PMMA, 고분자 도장, 패시베이션층-
公开(公告)号：KR101561959B1
公开(公告)日：2015-10-20
申请号：KR1020140030832
申请日：2014-03-17
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 그래핀을이용해휘어짐이나늘임가능한수퍼커패시터및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른수퍼커패시터는휘어짐이나늘임가능한기판; 상기기판위에형성된전극; 및전해질을포함하고, 상기전극은표면에탄소기반물질, 산화금속및 전도성고분자중 적어도어느하나가혼성화된증착그래핀패턴으로이루어진다. 본발명에따르면, 전고체상이면서휘어짐이나늘임가능한수퍼커패시터로제조할수 있고, 수퍼커패시터의비표면적당축전용량을증가시킬수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150109026A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020140031941
申请日：2014-03-19
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 휘어짐이나늘임가능한수퍼커패시터및 그제조방법을제공한다. 본발명에따른수퍼커패시터는휘어짐이나늘임가능한기판, 상기기판위에형성된금속집전체, 상기집전체상의전극, 및전해질을포함하고, 상기전극은탄소기반물질과산화금속의혼합물로이루어진것을특징으로한다. 본발명에따르면, 높은에너지밀도와출력밀도를가지는전극물질을간단한방법으로합성할수 있으며, 반도체공정의기술과스프레이코팅기술을응용하여전극물질을평면상에간편하게원하는형태로전극의제작이가능하다. 이러한기술을바탕으로전고체상이면서휘어짐이나늘임가능한박막형수퍼커패시터를제조할수 있다.
Abstract translation: 提供一种柔性或可拉伸的超级电容器及其制造方法。 根据本发明的超级电容器包括柔性或可拉伸的基底，形成在基底上的金属收集器，收集器上的电极和电解质。 电极由碳基材料和金属氧化物的混合物制成。 根据本发明，通过简单的方法合成具有高能量密度和高输出密度的电极材料。 通过使用应用半导体工艺和喷涂技术的电极材料，简单地在平面上制造具有期望形状的电极。 基于该技术，制造的是全固态平面型超级电容器，其具有柔性和可拉伸性。
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公开(公告)号：KR1020090084304A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010389
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , C01G31/02 , C01P2004/16 , G03F7/0002
Abstract: A nanowire thin film, a manufacturing method thereof and an electric component including the same are provided to facilitate the change or arrangement of the orientation and length of a nanowire. A method for fabricating a nanowire thin film comprises: a first step of pre-treating a stamp(100) so that a nanowire dispersing solution is coated on the stamp; a second step of coating the nanowire dispersing solution on the stamp having a concave part(110) and convex part(120); a third step of blowing a gas into the nanowire dispersing solution in order to arrange the nanowire(140); and a fourth step of contacting the stamp to a substrate so as to print the nanowire arranged on the convex part of the stamp on the substrate. The nanowire dispersing solution is obtained by a sol-gel synthesis method.
Abstract translation: 提供了纳米线薄膜，其制造方法和包括该纳米线薄膜的电气部件，以便于纳米线的取向和长度的改变或布置。 一种制造纳米线薄膜的方法包括：对印模（100）进行预处理以使纳米线分散溶液涂覆在印模上的第一步骤; 将纳米线分散溶液涂布在具有凹部（110）和凸部（120）的印模上的第二工序; 将纳米线分散溶液吹入纳米线（140）的第三步骤; 以及将印模与基板接触以便印刷布置在印模的凸起部分上的纳米线的第四步骤。 纳米线分散溶液通过溶胶 - 凝胶合成法获得。
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公开(公告)号：KR1020090076291A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002156
申请日：2008-01-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y40/00
Abstract: A substrate coating method using the high polymer stamp is provided, which performs the role of the improved barrier by uniformly forming the passivation layer. The silicon master having the first pattern is provided(S100). A high polymer stamp having the first pattern and second pattern is formed(S102). The polymer film dissolved in the chloroform transfers in the second pattern region of the high polymer stamp(S104). The polymer film of the high polymer stamp transfers in the top of the substrate(S106). The thermal process is performed according to use after removing the high polymer stamp from substrate(S108). The PMMA film is removed by using the acetone and supersonic vibration(S110).
Abstract translation: 提供了使用高聚合物印模的基板涂布方法，其通过均匀地形成钝化层来发挥改进的屏障的作用。 提供具有第一图案的硅母版（S100）。 形成具有第一图案和第二图案的高聚合物印模（S102）。 溶解在氯仿中的聚合物膜在高分子印模的第二图案区域中转印（S104）。 高分子印模的聚合物膜在基材的顶部转印（S106）。 在从基板除去高聚合物印模之后，根据使用进行热处理（S108）。 通过使用丙酮和超音速振动来除去PMMA膜（S110）。
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公开(公告)号：KR100975036B1
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：KR1020080010389
申请日：2008-01-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 나노선 박막, 그 제조 방법, 그 제조장치 및 이를 포함하는 전자소자가 제공된다.
본 발명에 따른 나노선 박막 제조방법은 오목부 및 볼록부를 포함하는 스탬프 상에 나노선 분산 용액을 도포시키는 단계; 상기 스탬프 상의 나노선 용액에 기체를 블로잉하여, 상기 나노선을 정렬시키는 단계; 및 상기 스탬프를 기판에 접촉시켜 상기 스탬프의 볼록부 상에 정렬된 나노선을 상기 기판에 프린팅하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 나노선 박막의 제조방법은 나노선의 배향구조, 나노선의 길이 등을 간단한 설계변경에 따라 달성할 수 있으며, 종래의 기술이 가지는 공정 의 한계를 극복할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조된 나노선 박막, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 전자 소자는 전기적 특성이 안정적이다는 장점이 있다-
10.发明公开나노선 성장용 촉매 패턴 형성 방법, 이를 이용한 나노선 형성 방법 및 그 방법으로 형성된 나노선을 이용한 나노선 소자 有权用于制备纳米线生长的催化剂图案的方法，使用通过方法制备纳米线的催化剂图案和纳米线制造纳米线的方法
公开(公告)号：KR1020100098236A
公开(公告)日：2010-09-06
申请号：KR1020090017294
申请日：2009-02-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82B3/0038 , B82Y40/00 , G03F7/0002
Abstract: PURPOSE: A pattern formation method of a nanowire growing catalyst, a nanowire formation method using thereof, and a nano wire device using a nanowire produced therefrom are provided to pattern the nanowire without a separate patterning process. CONSTITUTION: A pattern formation method of a nanowire growing catalyst comprises the following: forming a nanoparticle monolayer formed with a nanoparticle(220) on a second solvent(210) using a Langmuir-Schaffer method; contacting a polymer stamp(230) formed with a pattern(231) on the surface with the nanoparticle monolayer to absorb the nanoparticle to the pattern; and contacting the absorbed nanoparticle with a substrate(240) to print the nanoparticle to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供纳米线生长催化剂的图案形成方法，使用其的纳米线形成方法和使用由其制备的纳米线的纳米线器件，以在不具有单独的图案化工艺的情况下对纳米线进行图案化。 构成：纳米线生长催化剂的图案形成方法包括以下步骤：使用Langmuir-Schaffer法在第二溶剂（210）上形成由纳米颗粒（220）形成的纳米颗粒单层; 使形成有表面上的图案（231）的聚合物印模（230）与纳米颗粒单层接触以将纳米颗粒吸收至图案; 以及将所吸收的纳米颗粒与基底（240）接触以将纳米颗粒印刷到基底上。
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