公开(公告)号：WO2022075804A1

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：PCT/KR2021/013885

申请日：2021-10-08

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김규태 ,  이국진 ,  남상진 ,  박현익 ,  김연수 ,  이재우 ,  김도윤

IPC: G01R31/30 ,  G01R31/28 ,  G01R19/12

Abstract: 반도체 소자의 검사 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 검사 방법은, 피시험 반도체 소자를 준비하는 단계, 상기 피시험 반도체 소자에서 출력되는 전류 신호를 측정하는 단계, 상기 전류 신호를 증폭하는 단계, 증폭된 상기 전류 신호로부터, 시간에 따른 전류 값의 변화량을 계산하는 단계, 상기 시간에 따른 전류 값의 변화량을 전류 값의 변화량에 대한 확률 밀도 함수로 변환하는 단계, 및 상기 확률 밀도 함수로부터, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：WO2021246697A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/KR2021/006391

申请日：2021-05-24

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 김지현 ,  박현익 ,  최용하 ,  양수정 ,  배진호

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/16

Abstract: 본 발명은 베타 산화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 베타 산화갈륨 박막 제조방법은 기판 상에, 액적(droplet) 형태로 액상 갈륨을 전사하는 단계, 압착판으로 전사된 액상 갈륨을 압착하여, 2차원 박막 형태의 산화갈륨층을 형성하는 단계, 및 산화갈륨층을 열처리하여, 2차원 박막 형태의 베타 산화갈륨층을 형성하는 단계를 포함한다.