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1.发明专利
公开(公告)号：KR102230354B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190147779A
申请日：2019-11-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/307 , G06N20/00 , G06T5/00 , H01L21/66 , H01L21/67
CPC classification number: G01R31/307 , G06N20/00 , G06T5/007 , H01L21/67242 , H01L22/14 , H01L22/34 , G06T2207/20081
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 출력 특성과 TEM/SEM 이미지에 대한 기계 학습을 수행하여 반도체 소자의 열화 조건을 결정 및 테스트하는 기술적 사상에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명은 다양한 조건에서 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하고, 전기적 특성이 측정될 시 TEM/SEM 이미지를 획득하여 측정된 전기적 특성과 TEM/SEM 이미지에 대하여 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 열화 조건을 보다 정확하게 결정하는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102225817B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190146191A
申请日：2019-11-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: G01R31/26 , G01R31/31711 , G06F16/00 , G06N20/00 , G10H2210/041 , G10H2250/015
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 주파수 출력 특성을 기계 학습하여 반도체 소자를 테스트하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자를 통해 출력된 전류 또는 전압의 파동을 측정하고, 측정된 파동에 MFCC 유사 필터를 적용하여 벡터 데이터를 2차원 어레이 데이터로 데이터 베이스를 구축하고, 구축된 데이터 베이스에 대한 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 조건을 결정에 대한 테스트 정확도를 향상시키는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2020122501A1
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：PCT/KR2019/017055
申请日：2019-12-05
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N27/407 , G01N27/12 , G01N27/30 , G01N33/00
Abstract: 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 제1영역 및 제2영역을 갖는 제1전극 상기 제1전극의 제1영역 상에 배치되는 유전층; 상기 유전층 상에 배치되는 제2전극; 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제2전극과 이격된 제3전극; 상기 유전층 상에 배치되며, 상기 제2전극 및 상기 제3전극 각각과 이격된 제4전극; 상기 제2전극과 상기 제3전극을 전기적으로 연결하는 제1채널층; 상기 제2전극과 상기 제4전극을 전기적으로 연결하는 제2채널층; 및 상기 제1채널층을 덮도록 상기 유전층 상에 배치된 패시베이션층; 을 포함하는 투명하고 구부림이 가능한 인버터 타입의 볼티지 소형 센서를 개시한다.
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公开(公告)号：WO2021101069A1
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：PCT/KR2020/014012
申请日：2020-10-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/307 , G06T5/00 , G01N21/95 , G01N21/88 , G06N20/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 출력 특성과 TEM/SEM 이미지에 대한 기계 학습을 수행하여 반도체 소자의 열화 조건을 결정 및 테스트하는 기술적 사상에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명은 다양한 조건에서 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하고, 전기적 특성이 측정될 시 TEM/SEM 이미지를 획득하여 측정된 전기적 특성과 TEM/SEM 이미지에 대하여 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 열화 조건을 보다 정확하게 결정하는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2022075804A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013885
申请日：2021-10-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 반도체 소자의 검사 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 검사 방법은, 피시험 반도체 소자를 준비하는 단계, 상기 피시험 반도체 소자에서 출력되는 전류 신호를 측정하는 단계, 상기 전류 신호를 증폭하는 단계, 증폭된 상기 전류 신호로부터, 시간에 따른 전류 값의 변화량을 계산하는 단계, 상기 시간에 따른 전류 값의 변화량을 전류 값의 변화량에 대한 확률 밀도 함수로 변환하는 단계, 및 상기 확률 밀도 함수로부터, 상기 피시험 반도체 소자의 트랩 사이트에 대한 정보를 추출하는 단계를 포함할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022075806A1
公开(公告)日：2022-04-14
申请号：PCT/KR2021/013888
申请日：2021-10-08
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 표시 패널의 검사 방법이 제공된다. 상기 표시 패널의 검사 방법은, 복수의 화소 셀을 갖는 피시험 표시 패널을 준비하는 단계, 상기 피시험 표시 패널에 포함된 상기 복수의 화소 셀 중에서 피시험 화소 셀을 선택하는 단계, 상기 피시험 화소 셀에 검사 신호를 인가하는 단계, 상기 검사 신호에 대한 상기 피시험 화소 셀의 출력 신호를 측정하는 단계, 및 시간에 따른 상기 출력 신호의 변동량을 특징화하여, 상기 피시험 화소 셀의 특징화 정보를 도출하고, 열화 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2021096076A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：PCT/KR2020/014011
申请日：2020-10-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/317 , G01R23/16 , G06N20/00
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 주파수 출력 특성을 기계 학습하여 반도체 소자를 테스트하는 기술에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 소자를 통해 출력된 전류 또는 전압의 파동을 측정하고, 측정된 파동에 MFCC 유사 필터를 적용하여 벡터 데이터를 2차원 어레이 데이터로 데이터 베이스를 구축하고, 구축된 데이터 베이스에 대한 기계 학습을 수행함으로써 반도체 소자의 조건을 결정에 대한 테스트 정확도를 향상시키는 기술에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR102230354B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190147779
申请日：2019-11-18
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01R31/307 , G06N20/00 , H01L21/67 , G06T5/00 , H01L21/66
Abstract: 본발명은반도체소자의출력특성과 TEM/SEM 이미지에대한기계학습을수행하여반도체소자의열화조건을결정및 테스트하는기술적사상에관한것으로, 보다구체적으로, 본발명은다양한조건에서반도체소자의전기적특성을측정하고, 전기적특성이측정될시 TEM/SEM 이미지를획득하여측정된전기적특성과 TEM/SEM 이미지에대하여기계학습을수행함으로써반도체소자의열화조건을보다정확하게결정하는기술에관한것이다.
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公开(公告)号：KR102225817B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020190146191
申请日：2019-11-14
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은반도체소자의주파수출력특성을기계학습하여반도체소자를테스트하는기술에관한것으로서, 보다상세하게는반도체소자를통해출력된전류또는전압의파동을측정하고, 측정된파동에 MFCC 유사필터를적용하여벡터데이터를 2차원어레이데이터로데이터베이스를구축하고, 구축된데이터베이스에대한기계학습을수행함으로써반도체소자의조건을결정에대한테스트정확도를향상시키는기술에관한것이다.
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