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公开(公告)号：KR101225632B1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020127015373
申请日：2008-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: (과제) 마이크로파 플라즈마에서의 고효율·고속 성막과 동시에, 산소 혼입을 저지하고, 결함수를 저감시킬 수 있는 광전 변환 소자 제조 장치 및 방법, 그리고 광전 변환 소자를 제공하기 위한 것이다.
(해결 수단) 본 발명은, 기판(W)상에 반도체의 적층막을 마이크로파 플라즈마 CVD법에 의해 성막시키는 광전 변환 소자 제조 장치(100)에 있어서, 박막을 성막시키고자 하는 대상의 기판(W)이 올려놓여지는 기대(base)를 내장하는 밀폐 공간인 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내의 플라즈마 여기 영역에 플라즈마 여기 가스를 공급하는 제1 가스 공급부(40)와, 상기 챔버(10) 내의 압력을 조정하는 조압부(70)와, 상기 챔버(10) 내의 플라즈마 확산 영역에 원료 가스를 공급하는 제2 가스 공급부(50)와, 마이크로파를 상기 챔버(10) 내에 도입하는 마이크로파 인가부(20)와, 상기 기판(W)에 대하여 기판 바이어스 전압을 상기 가스종에 따라서 선택하여 인가하는 바이어스 전압 인가부(60)를 구비한다.-
公开(公告)号：KR101203963B1
公开(公告)日：2012-11-23
申请号：KR1020107013162
申请日：2008-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."
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公开(公告)号：KR101203595B1
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020107026894
申请日：2009-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
Abstract: 이 스퍼터 방법은, 복수의 세장(細長) 영역을, 제1 방향에서는 웨이퍼와 동일한 직경을 갖는 원형 영역을 각각 횡단하고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서는 서로 소정의 간격을 두고 나열하고, 복수의 세장 영역의 하나를, 제1 방향으로 연장되는 변 중 하나의 변이 원형 영역의 중심을 실질적으로 통과하도록 배치하고, 복수의 세장 영역의 다른 하나를, 제2 방향에 있어서의 다른 변이 원형 영역의 에지를 통과하도록 배치하고, 제2 방향에 있어서의 복수의 세장 영역의 폭을 합계하여 얻어진 값이 원형 영역의 반경과 동일해지도록, 복수의 세장 영역의 각각의 폭을 설정하고, 복수의 세장 타깃을, 복수의 세장 타깃으로부터 방출되는 스퍼터 입자가 대응하는 복수의 세장 영역에 입사하도록, 대응하는 복수의 세장 영역에 대향시켜 배치하고, 원형 영역과 겹쳐 웨이퍼를 배치하고, 마그네트론 방전에 의해 생성한 플라즈마를 타깃의 근방에 가두고, 상기 타깃으로부터 스퍼터 입자를 방출시키고, 원형 영역의 중심을 통과하는 법선을 회전 중심으로 하여 웨이퍼를 소정의 회전수로 동축(同軸) 회전시켜, 웨이퍼 표면에 막을 퇴적한다.
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公开(公告)号：KR1020100087746A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：KR1020107013162
申请日：2008-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."
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公开(公告)号：KR1020140027558A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020147003542
申请日：2010-03-19
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3497
Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 여기 전력의 증대에 수반하는 타깃부 등의 가열에 의한 악영향을 경감한 회전 마그넷 스퍼터 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 회전 마그넷 스퍼터 장치는, 복수의 나선 형상 판자석군 간에 형성된 나선 형상의 공간에 냉각용 매체를 흘리거나, 타깃부를 지지하는 백킹 플레이트에 냉각용 유로를 형성함으로써, 타깃부를 제열(除熱)하는 구조를 갖는다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开회전 마그넷 스퍼터 장치, 스퍼터 방법, 전자 장치의 제조 방법 및 회전 마그넷 스퍼터 장치의 냉각 방법 无效旋转磁体溅射装置，溅射方法，电子装置的制造方法以及旋转磁体溅射装置的冷却方法
公开(公告)号：KR1020120008528A
公开(公告)日：2012-01-30
申请号：KR1020117027136
申请日：2010-03-19
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C14/35
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3497
Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 여기 전력의 증대에 수반하는 타깃부 등의 가열에 의한 악영향을 경감한 회전 마그넷 스퍼터 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 회전 마그넷 스퍼터 장치는, 복수의 나선 형상 판자석군 간에 형성된 나선 형상의 공간에 냉각용 매체를 흘리거나, 타깃부를 지지하는 백킹 플레이트에 냉각용 유로를 형성함으로써, 타깃부를 제열(除熱)하는 구조를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110008307A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：KR1020107026894
申请日：2009-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3423
Abstract: 이 스퍼터 방법은, 복수의 세장(細長) 영역을, 제1 방향에서는 웨이퍼와 동일한 직경을 갖는 원형 영역을 각각 횡단하고, 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서는 서로 소정의 간격을 두고 나열하고, 복수의 세장 영역의 하나를, 제1 방향으로 연장되는 변 중 하나의 변이 원형 영역의 중심을 실질적으로 통과하도록 배치하고, 복수의 세장 영역의 다른 하나를, 제2 방향에 있어서의 다른 변이 원형 영역의 에지를 통과하도록 배치하고, 제2 방향에 있어서의 복수의 세장 영역의 폭을 합계하여 얻어진 값이 원형 영역의 반경과 동일해지도록, 복수의 세장 영역의 각각의 폭을 설정하고, 복수의 세장 타깃을, 복수의 세장 타깃으로부터 방출되는 스퍼터 입자가 대응하는 복수의 세장 영역에 입사하도록, 대응하는 복수의 세장 영역에 대향시켜 배치하고, 원형 영역과 겹쳐 웨이퍼를 배치하고, 마그네트론 방전에 의해 생성한 플라즈마를 타깃의 근방에 가두고, 상기 타깃으로부터 스퍼터 입자를 방출시키고, 원형 영역의 중심을 통과하는 법선을 회전 중심으로 하여 웨이퍼를 소정의 회전수로 동축(同軸) 회전시켜, 웨이퍼 표면에 막을 퇴적한다.
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公开(公告)号：KR1020120070625A
公开(公告)日：2012-06-29
申请号：KR1020127015373
申请日：2008-12-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: "The invention provides a photoelectric conversion element manufacturing apparatus that forms a semiconductor stack film on a substrate by using microwave plasma CVD. The apparatus includes a chamber which is a enclosed space containing a base, on which the a subject substrate for thin-film formation is mounted, a first gas supply unit which supplies plasma excitation gas to a plasma excitation region in the chamber, a pressure regulation unit which regulates pressure in the chamber, a second gas supply unit which supplies raw gas to a plasma diffusion region in the chamber, a microwave application unit which applies microwaves into the chamber, and a bias voltage application unit which selects and applies a substrate bias voltage to the substrate according to the type of gas."
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公开(公告)号：KR1020120031520A
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：KR1020127003928
申请日：2010-07-16
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 , 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H05K3/16 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/352 , C23C14/568 , H05K3/381 , H05K3/388 , H05K2203/095 , H05K2203/1572
Abstract: 본 발명의 과제는, 배선 기판의 제조에 있어서 스퍼터 프로세스를 채용하면서, 스루풋의 향상 및 러닝 코스트의 저감이 가능한 배선 기판 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 배선 기판 플라즈마 처리 장치는, 동일의 플라즈마 처리실 내에, 플라즈마원을 구비하고, 피처리 기판의 전처리를 행하는 표면 처리부와, 복수의 막에 의해 형성된 시드층을 형성하는 복수의 스퍼터 성막부를 구비하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020120026131A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：KR1020127001396
申请日：2010-05-27
Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6838
Abstract: 웨트 처리 장치는, 스테이지 상에 피처리 기판을 보유지지하고, 상기 스테이지를 회전시켜서 웨트 처리를 행한다. 상기 피처리 기판은, 그 중심이 상기 스테이지의 회전 중심으로부터 어긋나게 되고, 그리고 당해 피처리 기판의 이면에 불활성 가스를 흘리는 베르누이 척을 이용하여 상기 스테이지에 보유지지됨으로써, 상기 스테이지의 회전과 함께 상기 피처리 기판이 편심 회전한다. 상기 스테이지 내의 회전축 부분에 상기 베르누이 척에 이용하는 제1 가스 공급로가 형성되고, 상기 스테이지에는 또한 상기 제1 가스 공급로에 연통하고 상기 피처리 기판의 이면으로 불활성 가스를 도입하기 위한 제2 가스 공급로가 상기 피처리 기판의 중심축에 대하여 축대칭으로 형성되어 있다.
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