公开(公告)号：KR102005436B1

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：KR1020180036453

申请日：2018-03-29

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 박용철 ,  김지영

IPC: C12P7/44 ,  A23L33/12 ,  A61K8/36 ,  A61K31/194 ,  A61Q19/00 ,  A61P17/00

公开(公告)号：KR1020060112375A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: A method for forming a metal interconnection is provided to guarantee a simplified process by forming a low-resistive multilayered thin film of a Cu/Co structure while using an ALD or MOCVD method of a Co thin film and a Cu thin film and a micro contact printing method. Metal is deposited on a substrate by a micro contact printing method wherein OTS(octadecyltrichlorosilane) of a second pattern made of a reverse pattern of a desired first pattern is formed. A Co thin film(24) is deposited on the front surface of the substrate. A Co thin film is selectively deposited only in a region where OTS(22a) is not formed, made of the same pattern as the first pattern. The substrate region of the first pattern in which the OTS is not formed is a hydrophilic region where a nucleus can easily be generated. The substrate region of the second pattern in which the OTS is formed is a hydrophobic region where a nucleus is difficult to generate.

Abstract translation: 提供一种用于形成金属互连的方法，以通过在使用Co薄膜和Cu薄膜和微触点的ALD或MOCVD方法的同时形成Cu / Co结构的低电阻多层薄膜来保证简化的工艺 打印方式。 金属通过微接触印刷法沉积在基底上，其中形成由所需第一图案的反向图案制成的第二图案的OTS（十八烷基三氯硅烷）。 Co基薄膜（24）沉积在衬底的前表面上。 仅在不形成OTS（22a）的区域中选择性地沉积Co薄膜，由与第一图案相同的图案制成。 不形成OTS的第一图案的基板区域是容易产生核的亲水区域。 其中形成OTS的第二图案的衬底区域是难以产生核的疏水区域。

公开(公告)号：KR100725251B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 마이크로 컨택 프린팅 방법에 의해 기판의 일부영역을 소수성 영역으로 표면개질을 실시한 후 저온에서 선택적인 증착방법으로 금속배선을 형성하고 이를 이용하여 TFT를 제작할 수 있는 단순화된 저온 선택 증착기술을 이용한 비광학적 방식의 금속배선과 그의 형성방법, 이를 이용하여 제조된 TFT와 TFT의 제조방법, 및 TFT 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속배선은 자기조립단분자막(SAMs)을 이용한 마이크로 컨택 프린팅 방법으로 표면의 선택적인 계면 처리를 통하여 자기조립단분자막을 패턴닝 한 후, ALD 또는 MOCVD 방법으로 처리된 표면위에 선택적으로 Co 및 Cu를 증착하여 금속배선 패턴을 형성한다. 본 발명은 저온 공정이 가능하여 증착면의 종류를 글래스, 실리콘, 플라스틱기판, 전도성 폴리머 등으로 다양화 할 수 있다.
금속배선, Co 선택 증착, 자기조립단분자막, 마이크로 컨택 프린팅, 저온증착, TFT, 유연기판