公开(公告)号：KR1020110044633A

公开(公告)日：2011-04-29

申请号：KR1020090101416

申请日：2009-10-23

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 양희정 ,  호원준 ,  이재갑 ,  한규원 ,  이치영 ,  이준호

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor using a single copper target and thin film transistor using the method are provided to perform a sputtering process by copper or a single copper alloy target, thereby providing a thin fill transistor which forms a source and a drain by copper or copper alloy. CONSTITUTION: A gate electrode(105) is formed on a glass substrate(101). A gate insulating film(107), a semiconductor layer(117), and an ohmic contact layer(119) are deposited on the gate electrode. A natural oxide film is formed on the ohmic contact layer. An oxide film(115) is deposited on the ohmic contact layer using metal including copper. A source-drain layer(121) is deposited on the oxide film using metal including the copper.

Abstract translation: 目的：提供使用该方法制造使用单个铜靶和薄膜晶体管的薄膜晶体管的方法，以通过铜或单一铜合金靶进行溅射处理，由此提供形成源极和/ 用铜或铜合金排水。 构成：在玻璃基板（101）上形成栅电极（105）。 栅极绝缘膜（107），半导体层（117）和欧姆接触层（119）沉积在栅电极上。 在欧姆接触层上形成自然氧化膜。 氧化膜（115）使用包括铜的金属沉积在欧姆接触层上。 源极 - 漏极层（121）使用包含铜的金属沉积在氧化膜上。

公开(公告)号：KR100725251B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 마이크로 컨택 프린팅 방법에 의해 기판의 일부영역을 소수성 영역으로 표면개질을 실시한 후 저온에서 선택적인 증착방법으로 금속배선을 형성하고 이를 이용하여 TFT를 제작할 수 있는 단순화된 저온 선택 증착기술을 이용한 비광학적 방식의 금속배선과 그의 형성방법, 이를 이용하여 제조된 TFT와 TFT의 제조방법, 및 TFT 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속배선은 자기조립단분자막(SAMs)을 이용한 마이크로 컨택 프린팅 방법으로 표면의 선택적인 계면 처리를 통하여 자기조립단분자막을 패턴닝 한 후, ALD 또는 MOCVD 방법으로 처리된 표면위에 선택적으로 Co 및 Cu를 증착하여 금속배선 패턴을 형성한다. 본 발명은 저온 공정이 가능하여 증착면의 종류를 글래스, 실리콘, 플라스틱기판, 전도성 폴리머 등으로 다양화 할 수 있다.
금속배선, Co 선택 증착, 자기조립단분자막, 마이크로 컨택 프린팅, 저온증착, TFT, 유연기판

公开(公告)号：KR1020060112375A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: A method for forming a metal interconnection is provided to guarantee a simplified process by forming a low-resistive multilayered thin film of a Cu/Co structure while using an ALD or MOCVD method of a Co thin film and a Cu thin film and a micro contact printing method. Metal is deposited on a substrate by a micro contact printing method wherein OTS(octadecyltrichlorosilane) of a second pattern made of a reverse pattern of a desired first pattern is formed. A Co thin film(24) is deposited on the front surface of the substrate. A Co thin film is selectively deposited only in a region where OTS(22a) is not formed, made of the same pattern as the first pattern. The substrate region of the first pattern in which the OTS is not formed is a hydrophilic region where a nucleus can easily be generated. The substrate region of the second pattern in which the OTS is formed is a hydrophobic region where a nucleus is difficult to generate.

Abstract translation: 提供一种用于形成金属互连的方法，以通过在使用Co薄膜和Cu薄膜和微触点的ALD或MOCVD方法的同时形成Cu / Co结构的低电阻多层薄膜来保证简化的工艺 打印方式。 金属通过微接触印刷法沉积在基底上，其中形成由所需第一图案的反向图案制成的第二图案的OTS（十八烷基三氯硅烷）。 Co基薄膜（24）沉积在衬底的前表面上。 仅在不形成OTS（22a）的区域中选择性地沉积Co薄膜，由与第一图案相同的图案制成。 不形成OTS的第一图案的基板区域是容易产生核的亲水区域。 其中形成OTS的第二图案的衬底区域是难以产生核的疏水区域。