公开(公告)号：KR101361505B1

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020060016778

申请日：2006-02-21

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 성명모 ,  김진열

IPC: C23C16/00

Abstract: 본 발명은 패턴화 FeCl
3 상의 전도성 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 박막의 선택적 증기상 증착법에 관한 것으로, 미세접촉 인쇄법(microcontact printing)에 의하여 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판 상에 패턴화 FeCl
3 를 제조한다. 상기 패턴화 FeCl
3 가 에틸렌디옥시티오펜 단량체의 증기상 중합을 이용한, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 박막의 선택적 증착을 규정한다. 선택적 증기상 증착법은, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 박막이 오직 폴리에틸렌테레프탈레이트 기판의 FeCl
3 를 노출시키는 구역에서 선택적으로 증착된다는 관찰에 기초하고, 이는 에틸렌디옥시티오펜 단량체가 오직 산화제, 예를 들어 FeCl
3 , Fe(ClO
4 ), 및 유기 라디칼을 함유하는 유기산/무기산의 Fe(Ⅱ)의 염의 존재 하에 중합될 수 있기 때문이다.
폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 박막, 선택적 증기상 증착법, 미세접촉 인쇄법

公开(公告)号：KR1020070084683A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020060016780

申请日：2006-02-21

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 성명모

IPC: C23C16/00

Abstract: A molecular layer deposition method which can substantially complement stability and permeability mentioned as problems of self-assembled monolayers, and particularly can be applied to the fields of protective films of organic electroluminescent devices, and non-volatile memories usefully. A preparing method of self-assembled monolayers repeatedly comprises the steps of: (1) forming a TiO2 layer on an SiO2 surface by using atomic layer deposition; (2) gas phase reacting a surfactant and organic silicon with molecules of organic sulfur or organic phosphoric acid by using molecular layer deposition, thereby forming self-assembled monolayers on the surface of the TiO2 layer; (3) activating functional groups of alkane chains of the formed self-assembled monolayers into -OH or -COOH using UV/O3 or O3; and (4) depositing TiO2 onto the activated self-assembled monolayers by using atomic layer deposition.

Abstract translation: 可以基本上补充作为自组装单层问题的稳定性和渗透性的分子层沉积方法，特别是可以有效地应用于有机电致发光器件的保护膜和非易失性存储器的领域。 重复的自组装单层的制备方法包括以下步骤：（1）通过使用原子层沉积在SiO 2表面上形成TiO 2层; （2）通过使用分子层沉积使表面活性剂和有机硅与有机硫或有机磷酸的分子气相反应，从而在TiO 2层的表面上形成自组装单层; （3）使用UV / O 3或O 3将形成的自组装单层的烷烃链官能团活化成-OH或-COOH; 和（4）通过使用原子层沉积将TiO 2沉积到活化的自组装单层上。

公开(公告)号：KR1020100055655A

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：KR1020080114481

申请日：2008-11-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  성명모 ,  조상호

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L29/7869

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an N type ZnO semiconductor thin film and a thin film transistor are provided to reduce manufacturing costs by depositing an insulation layer below 150 degrees centigrade and forming a ZnO thin film below 100 degrees centigrade. CONSTITUTION: A substrate(10) is arranged inside a chamber of an atomic layer deposition device. A Zn precursor is inserted into the chamber independently or with the carrier gas. An atomic layer including Zn is formed by absorbing a Zn precursor with an atomic layer deposition method. A nitrogen precursor and an oxygen precursor are respectively inserted into the chamber. An N-type ZnO semiconductor thin film(40) doped with the nitrogen is formed using a surface chemical reaction among the Zn precursor, the nitrogen precursor, and the oxygen precursor.

Abstract translation: 目的：提供一种制造N型ZnO半导体薄膜和薄膜晶体管的方法，通过在150摄氏度下沉积绝缘层并在低于100摄氏度的温度下形成ZnO薄膜来降低制造成本。 构成：衬底（10）布置在原子层沉积装置的室内。 将Zn前体独立地或与载气一起插入腔室中。 通过用原子层沉积法吸收Zn前体形成包含Zn的原子层。 氮气前体和氧气前体分别插入腔室。 使用Zn前体，氮前体和氧前体之间的表面化学反应形成掺杂氮的N型ZnO半导体薄膜（40）。

公开(公告)号：KR1020070084681A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020060016778

申请日：2006-02-21

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 성명모 ,  김진열

IPC: C23C16/00

Abstract: A method for selective vapor phase deposition of a PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) thin film onto a FeCl3-patterned PET(polyethylene terephthalate) substrate formed by microcontact printing is provided, wherein the PEDOT thin film can be selectively deposited onto only a portion of the PET substrate that exposes FeCl3, and the vapor phase polymerization provides an ideal method for selective deposition of a conductive polymer onto a patterned catalytic film. A method for selective vapor phase deposition of a conductive PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)) thin film onto patterned FeCl3 comprises: a first step of forming a patterned FeCl3 catalyst layer on a PET(polyethylene terephthalate) substrate using microcontact printing; and a second step of selectively depositing the PEDOT thin film onto a FeCl3-patterned PET by vapor phase polymerization, a salt of Fe(III) being used as dopant ions relative to PEDOT, and the vapor phase polymerization being carried out in the presence of an oxidizer. A PET substrate comprises a PEDOT thin film manufactured by the method and selectively deposited thereon.

Abstract translation: 提供了将PEDOT（聚（3,4-亚乙基二氧噻吩））薄膜选择性气相沉积到通过微接触印刷形成的FeCl 3图案化PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）基材上的方法，其中PEDOT薄膜可以选择性地沉积到 只有一部分曝光FeCl3的PET基材，并且气相聚合提供了一种理想的方法，用于将导电聚合物选择性沉积到图案化的催化膜上。 将导电PEDOT（聚（3,4-亚乙基二氧噻吩））薄膜选择性气相沉积到图案化FeCl 3上的方法包括：使用微接触印刷在PET（聚对苯二甲酸乙二醇酯）基材上形成图案化FeCl 3催化剂层的第一步骤; 并且通过气相聚合将PEDOT薄膜选择性沉积到FeCl 3图案化PET上的第二步骤，相对于PEDOT用作掺杂剂离子的Fe（III）的盐，并且气相聚合在 氧化剂。 PET基板包括通过该方法制造并选择性地沉积在其上的PEDOT薄膜。

公开(公告)号：KR100725251B1

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 마이크로 컨택 프린팅 방법에 의해 기판의 일부영역을 소수성 영역으로 표면개질을 실시한 후 저온에서 선택적인 증착방법으로 금속배선을 형성하고 이를 이용하여 TFT를 제작할 수 있는 단순화된 저온 선택 증착기술을 이용한 비광학적 방식의 금속배선과 그의 형성방법, 이를 이용하여 제조된 TFT와 TFT의 제조방법, 및 TFT 기판의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 금속배선은 자기조립단분자막(SAMs)을 이용한 마이크로 컨택 프린팅 방법으로 표면의 선택적인 계면 처리를 통하여 자기조립단분자막을 패턴닝 한 후, ALD 또는 MOCVD 방법으로 처리된 표면위에 선택적으로 Co 및 Cu를 증착하여 금속배선 패턴을 형성한다. 본 발명은 저온 공정이 가능하여 증착면의 종류를 글래스, 실리콘, 플라스틱기판, 전도성 폴리머 등으로 다양화 할 수 있다.
금속배선, Co 선택 증착, 자기조립단분자막, 마이크로 컨택 프린팅, 저온증착, TFT, 유연기판

公开(公告)号：KR1020070064106A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020050124670

申请日：2005-12-16

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 성명모

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: A method for patterning poly(dimethylsiloxane) stamp by using UV is provided to uniformly form diverse patterns on a variety of substrates in a short time. The method for patterning a poly(dimethylsiloxane) stamp by using UV comprises the steps of: (a) preparing a poly(dimethylsiloxane)(PDMS) stamp(3) from a master; (b) irradiating UV(254 nm) on a substrate(4) using the PDMS stamp(3) so as to form PDMS patterns; and (c) performing selective thin film deposition or wet-etching using PDMS patterns as a template. In the method, the deposition of thin film in the step(c) is performed by an atomic layer deposition, and the thin film is a thin film of titanium dioxide.

Abstract translation: 提供了通过使用UV图案化聚（二甲基硅氧烷）印模的方法，以在短时间内在各种基板上均匀地形成不同的图案。 通过使用UV图案化聚（二甲基硅氧烷）印模的方法包括以下步骤：（a）从母料制备聚（二甲基硅氧烷）（PDMS）印模（3）; （b）使用PDMS印模（3）对基片（4）上的UV（254nm）照射以形成PDMS图案; 和（c）使用PDMS图案作为模板进行选择性薄膜沉积或湿法蚀刻。 在该方法中，步骤（c）中的薄膜的沉积是通过原子层沉积进行的，薄膜是二氧化钛的薄膜。

公开(公告)号：KR1020060112375A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050034695

申请日：2005-04-26

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  양희정 ,  이정길 ,  권태욱 ,  신현정 ,  성명모 ,  김지영

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: A method for forming a metal interconnection is provided to guarantee a simplified process by forming a low-resistive multilayered thin film of a Cu/Co structure while using an ALD or MOCVD method of a Co thin film and a Cu thin film and a micro contact printing method. Metal is deposited on a substrate by a micro contact printing method wherein OTS(octadecyltrichlorosilane) of a second pattern made of a reverse pattern of a desired first pattern is formed. A Co thin film(24) is deposited on the front surface of the substrate. A Co thin film is selectively deposited only in a region where OTS(22a) is not formed, made of the same pattern as the first pattern. The substrate region of the first pattern in which the OTS is not formed is a hydrophilic region where a nucleus can easily be generated. The substrate region of the second pattern in which the OTS is formed is a hydrophobic region where a nucleus is difficult to generate.

Abstract translation: 提供一种用于形成金属互连的方法，以通过在使用Co薄膜和Cu薄膜和微触点的ALD或MOCVD方法的同时形成Cu / Co结构的低电阻多层薄膜来保证简化的工艺 打印方式。 金属通过微接触印刷法沉积在基底上，其中形成由所需第一图案的反向图案制成的第二图案的OTS（十八烷基三氯硅烷）。 Co基薄膜（24）沉积在衬底的前表面上。 仅在不形成OTS（22a）的区域中选择性地沉积Co薄膜，由与第一图案相同的图案制成。 不形成OTS的第一图案的基板区域是容易产生核的亲水区域。 其中形成OTS的第二图案的衬底区域是难以产生核的疏水区域。