公开(公告)号：KR101866770B1

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR1020160166653

申请日：2016-12-08

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 조백규 ,  손상혁 ,  이경민

IPC: B64C39/02 ,  B64C27/04 ,  B64C27/12

CPC classification number: B64C39/024 ,  B64C27/04 ,  B64C27/12 ,  B64C2201/024 ,  B64C2201/042 ,  B64C2201/108 ,  B64C2201/165 ,  B64C2211/00 ,  Y02T50/53 ,  Y02T50/62

Abstract: 조립가능한공중이동로봇은프로펠러를통해추진력을발생시키는로터, 상기로터를고정시키는고정프레임및 상기로터의구동을제어하는컨트롤러를각각포함하고, 하나는마스터이동유닛에해당하고나머지는적어도하나의슬레이브이동유닛에해당하는복수의이동유닛들및 각고정프레임을결합하여각 컨트롤러를전기적으로연결하는적어도하나의보조블록부를포함하고, 상기마스터이동유닛에있는마스터컨트롤러는구동전에상기적어도하나의슬레이브이동유닛에있는적어도하나의슬레이브컨트롤러와전기적으로연결되었는지여부를확인한다.

公开(公告)号：KR101529704B1

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：KR1020140009660

申请日：2014-01-27

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김대환 ,  김동명 ,  이경민

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/30 ,  H01L29/78663

Abstract: 비정질반도체박막트랜지스터의이동도추출방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른비정질반도체박막트랜지스터의이동도추출방법은상기박막트랜지스터의밴드갭내 상태밀도를획득하는단계; 상기추출된상기밴드갭내 상태밀도를이용하여문턱전압보다낮은전압영역에대한상기박막트랜지스터의제1 이동도를계산하는단계; 상기박막트랜지스터의측정된게이트전압에따른측정데이터와상기게이트전압에따른측정데이터의미리정의된수학적모델을비교하여상기문턱전압보다높은전압영역에대한상기박막트랜지스터의제2 이동도를계산하는단계; 및상기계산된상기제1 이동도와상기제2 이동도를이용하여상기박막트랜지스터의이동도를추출하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了提取非晶半导体薄膜晶体管的迁移率的方法和装置。 根据本发明的实施例的提取非晶半导体薄膜晶体管的迁移率的装置包括获得薄膜晶体管的带隙中的状态密度的步骤; 通过使用所提取的状态密度来计算比阈值电压低的电压区域的薄膜晶体管的第一迁移率的步骤; 通过根据栅极电压和测量数据根据薄膜晶体管的测量栅极电压比较测量数据的预定数学模型，计算比阈值电压高的电压区域的薄膜晶体管的第二迁移率的步骤 ; 以及通过使用所计算的第一和第二迁移率来提取薄膜晶体管的迁移率的步骤。