公开(公告)号：KR1020130081749A

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：KR1020120002726

申请日：2012-01-10

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 주영창 ,  연한울 ,  이영주 ,  이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure an even step coverage property by using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A barrier layer (120) comprises a Mercapto Propyl Tri Methoxy Silane (MPTMS). The barrier layer comprises a monomolecular film. The MPTMS is formed on a substructure (110). A conductive layer (130) is formed on the barrier layer. The conductive layer comprises a copper.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以通过使用自组装单层来确保均匀阶梯覆盖性。 构成：阻挡层（120）包含巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）。 阻挡层包含单分子膜。 MPTMS形成在子结构（110）上。 导电层（130）形成在阻挡层上。 导电层包括铜。

公开(公告)号：KR1020140108809A

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020130022267

申请日：2013-02-28

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  한정석 ,  정대균

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76832

Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a metal line using an expansive absorbing film formed by multi-layered thin films, comprising a step for preparing a base material where a pattern is formed; a step for arranging one or more layers of an organic matter layer on the base material where the pattern is formed; and a step for filling inside the pattern of the base material by absorbing metal on the organic matter layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种使用由多层薄膜形成的膨胀吸收膜制造金属线的方法，包括制备形成图案的基材的步骤; 在形成图案的基材上排列一层或多层有机物层的工序; 以及通过在有机物层上吸收金属填充基材的图案内的步骤。

公开(公告)号：KR1020130030478A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：KR1020110093980

申请日：2011-09-19

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to improve reliability by forming a diffusion preventing layer using a self-assembled monolayer. CONSTITUTION: A self-assembled monolayer(110) is formed on a semiconductor substrate and is made of a mixture. The mixture includes thiol group in one side thereof and one of carboxyl group, carbonyl group, and hydroxyl group in the other side thereof. A metal layer(120) is formed on the self-assembled monolayer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其形成方法，以通过使用自组装单层形成扩散防止层来提高可靠性。 构成：在半导体衬底上形成自组装单层（110）并由混合物制成。 该混合物在其一侧包含硫醇基团，另一侧包含羧基，羰基和羟基中的一个。 金属层（120）形成在自组装单层上。

公开(公告)号：KR101567888B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020130022267

申请日：2013-02-28

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  한정석 ,  정대균

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/312

Abstract: 본원은, 다층박막에의해형성된팽창흡수막을이용한금속배선제작방법에관한것으로, 패턴이형성된기재를준비하는단계; 상기패턴이형성된기재에한 층이상의유기물층을적층하는단계; 및, 상기유기물층에금속을흡착시켜상기기재의패턴내부를충진하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR101326711B1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020120002726

申请日：2012-01-10

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 주영창 ,  연한울 ,  이영주 ,  이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.

Abstract translation: 对于可靠性，本发明是改进的半导体器件及其制造方法，所述下部结构的方法，其包括形成在其下的结构，包括形成在所述阻挡层中，半导体器件及其制造的方法上的导电层的MPTMS（巯基丙基）的势垒层 等等。

公开(公告)号：KR101268458B1

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020110093980

申请日：2011-09-19

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이재갑 ,  이치영 ,  한정석

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 본 발명은 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)을 이용하여 금속소재와의 강한결합을 형성하고, 기존의 확산 방지막에 비해 두께가 얇은 것은 물론 신뢰성이 향상된 반도체 소자와 확산 방지막의 형성을 위하여, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 작용기로서 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는, 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체소자의 형성 방법을 제공한다.

Abstract translation: 用于膜的自组装单层（自组装单层，自组装膜）来使用，以形成与所述金属材料强键的形成本发明中，它有一个厚度比传统的扩散阻挡更薄以及可靠性提高半导体元件和所述扩散 提供半导体衬底; 其中半导体衬底包括一端的硫醇基和另一端的羧基，羰基和羟基作为官能团的混合物， 形成单分子膜; 并在自组装单分子层上形成金属层。