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1.发明申请광추출부가 형성된 단일 광학 시트를 포함하는 백라이트 유닛 및 광추출부가 형성된 선형 광원을 포함하는 모바일용 백라이트 유닛 审中-公开背光单元包括其上形成有光提取单元的单个光学片和形成有光提取单元的线性光源，
公开(公告)号：WO2018070551A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：PCT/KR2016/011297
申请日：2016-10-10
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: F21V8/00 , G02F1/1335 , G02B5/30
CPC classification number: G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 광추출부가 형성된 단일 광학 시트를 포함하는 백라이트 유닛을 제공한다. 단일 광학 시트의 광추출부들은 광의 전반사 특성만을 이용하여 도광판 내부의 광을 추출하고 백라이트 유닛의 상부 쪽으로 수직하게 방출시킨다. 이는 빛 방출 경로상의 계면 수를 최소화함으로써 광 손실을 줄여 광 이용 효율을 극대화할 수 있다. 또한, 본 발명은 광추출부가 형성된 선형 광원을 포함하는 모바일용 백라이트 유닛도 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种背光单元，其包括其上形成光提取部分的单个光学片。 单一光学片的光提取单元仅使用光的全反射特性来提取导光板内部的光并朝向背光单元的上侧垂直地发射光。 这使发光路径上的接口数量最小化，由此通过减少光损失来最大化光利用效率。 本发明还提供一种包括由光提取单元形成的线性光源的移动式背光单元。
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公开(公告)号：WO2015156548A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/KR2015/003402
申请日：2015-04-06
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02F1/13357 , G02B5/02 , G02B5/04
CPC classification number: G02B6/0036 , G02B5/02 , G02B5/04 , G02B6/005
Abstract: 본원은 백라이트 유닛, 및 상기 백라이트 유닛을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及背光单元和包括背光单元的显示装置。
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公开(公告)号：KR1020100120939A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090039824
申请日：2009-05-07
Applicant: 국민대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/26
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a thin film transistor is provided to inexpensively improve the electrical property of a thin film transistor by executing an ultraviolet irradiation process instead of a thermal processing process in an oxide semiconductor active layer. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(120) is formed on the substrate. A semiconductor active layer(130) is formed on the gate insulating layer. An ultraviolet ray is irradiated onto the semiconductor active layer. A source/drain electrode is formed on the semiconductor active layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管的制造方法，通过在氧化物半导体活性层中执行紫外线照射处理而不是热处理工艺来廉价地提高薄膜晶体管的电性能。 构成：在基板（100）上形成栅电极（110）。 在基板上形成栅极绝缘层（120）。 半导体有源层（130）形成在栅极绝缘层上。 紫外线照射到半导体活性层上。 源极/漏电极形成在半导体有源层上。
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公开(公告)号：KR101195550B1
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020090039825
申请日：2009-05-07
Applicant: 국민대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 자기조립단분자층을 이용한 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 산화물 반도체 활성층 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 상기 산화물 반도체 활성층 상에 자외선을 조사한 후 소스/드레인 전극의 패턴에 대응하는 개구 패턴을 포함하는 소수성 자기조립단분자층을 형성하고, 상기 소수성 자기조립단분자층을 마스크로서 이용하여 상기 개구 패턴을 통하여 상기 산화물 반도체 활성층 상에 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 포함하는, 박막트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
자기조립단분자층, 산화물 반도체 활성층, 자외선, 박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020100120940A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090039825
申请日：2009-05-07
Applicant: 국민대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a thin film transistor is provided to easily manufacture a thin film transistor with low costs by forming a source/drain electrode by using a self-assembled monolayer without an additional mask process. CONSTITUTION: A gate is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(110), which covers the gate, is formed in the top of the substrate. An oxide semiconductor active layer(120) is formed on the gate insulating layer. A hydrophobicity self-assembled monolayer(210) is formed on the oxide semiconductor active layer by irradiating a ultraviolet ray to the oxide semiconductor active layer. A source/drain electrode is formed on the oxide semiconductor active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管的制造方法，通过使用自组装单层形成源/漏电极，而不需要额外的掩模工艺，便于以低成本制造薄膜晶体管。 构成：在基板（100）上形成栅极。 覆盖栅极的栅极绝缘层（110）形成在基板的顶部。 在栅极绝缘层上形成氧化物半导体活性层（120）。 通过向氧化物半导体活性层照射紫外线，在氧化物半导体活性层上形成疏水性自组装单层（210）。 源极/漏电极形成在氧化物半导体有源层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170101685A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160024549
申请日：2016-02-29
Applicant: 국민대학교산학협력단
Abstract: 플랙시블소자제조방법및 플랙시블소자제조용희생기판이제공된다. 본발명의일 실시예에따르면, 플랙시블소자제조방법은, 기판표면에변성층을형성하는단계; 상기변성층전체를 1차표면처리하여상기변성층을변성시키는단계; 상기 1차표면처리된상기변성층의일부영역을마스킹하는단계; 마스킹처리된상기변성층을 2차표면처리하는단계; 상기일부영역의마스크를제거하는단계; 상기변성층상에플랙시블소자를형성하는단계; 및상기기판을플랙시블소자로부터제거하는단계;를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种制造用于制造柔性元件的柔性元件和牺牲基板的方法。 根据本发明的实施例，一种制造柔性元件的方法包括：在衬底的表面上形成变性层; 对整个改性层进行第一次表面处理以使改性层变性; 掩盖第一表面处理的改性层的一部分; 对经过掩蔽处理的变性层进行第二次表面处理; 去除局部区域的掩模; 在改性层上形成柔性元件; 并从柔性元件上移除衬底。
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公开(公告)号：KR1020160118712A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150047247
申请日：2015-04-03
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02F1/1335
Abstract: 광원, 도광부와광추출부가형성된광학시트가부착된도광판, 및확산반사시트를포함하는백라이트유닛, 및상기백라이트유닛을포함하는디스플레이장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160052143A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：KR1020140151997
申请日：2014-11-04
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/0272 , H01L21/28141
Abstract: 돌출방지및 컨택개선을위한층상조립층의형성방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成用于防止突起和接触改善的层叠组装层的方法。 该方法包括以下步骤：制备其上形成图案的基材; 在基材上形成纳米材料层; 在基材上形成弹性层; 消除纳米材料层; 并用金属填充图案的内部。 因此，该方法可以实现优异的导电性。
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公开(公告)号：KR1020160047440A
公开(公告)日：2016-05-02
申请号：KR1020160044231
申请日：2016-04-11
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: F21V8/00 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B6/002 , G02B6/0046 , G02B6/0073 , G02F1/133524
Abstract: 본원은, 광학시트를구비한백라이트도광판, 상기백라이트도광판을포함하는백라이트유닛및 디스플레이장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及背光导光板，包括导光板的背光单元和显示装置。 根据本发明，背光单元包括导光板和光提取单元，其包括棱镜片。 本发明的目的是提供一种导光板，其包括光学片，其构造成实现避免光散射的高效光提取结构。
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公开(公告)号：KR1020150117078A
公开(公告)日：2015-10-19
申请号：KR1020140042367
申请日：2014-04-09
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02B5/02 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/02 , G02F1/1335
Abstract: 본원은광학시트의제조방법, 상기제조방법에따라제조된광학시트가도광판의일측면에형성된백라이트유닛, 및상기백라이트유닛을포함하는디스플레이장치를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种制造光学片的方法，其中由此制造的光学片形成在导光板的一侧上的背光单元和具有能够廉价制造背光单元的背光单元的显示装置。 制造光学片的方法包括以下步骤：在圆形模具的表面上形成凹坑; 通过复制圆形模具制造复印模具至少一次; 并通过使用复制的模具制造具有锥形的棱锥形片。
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