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公开(公告)号：KR1020150025820A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130103875
申请日：2013-08-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 위성배열 레이더에 사용되는 레이더용 송수신모듈을 위한 반도체 패키지에 관한 것으로, 상기 발명은 실리콘 관통비아가 각각 형성된 제1 실리콘기판, 제2 실리콘기판, 제3 실리콘기판 및 제4 실리콘기판을 포함하고, 상기 제1 실리콘기판, 제2 실리콘기판, 제3 실리콘기판 및 제4 실리콘기판은 순서적으로 적층되어 상기 실리콘 관통비아를 통해 서로 전기적으로 연결되고, 상기 제2 실리콘기판 및 제4 실리콘기판에는 레이더용 송수신모듈의 소자들이 플립칩 본딩을 통해 배치되며, 상기 제1 실리콘기판 및 상기 제3 실리콘기판 각각은 상기 레이더용 송수신모듈의 소자의 배치 공간를 확보하기 위해 형성되는 관통형 캐버티를 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 본 발명은 부품의 집적화 및 경량화를 향상시킬 수 있고, 기계적 변형에 대한 내구성을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于相控阵雷达的雷达发射/接收模块的半导体封装。 根据本发明，提供了一种用于雷达发射/接收模块的半导体封装，其包括第一至第四硅衬底，每个硅衬底具有硅通孔，其中第一至第四硅衬底依次堆叠为 通过硅通孔彼此电连接，用于雷达的发射/接收模块装置通过倒装芯片接合方案设置在第二和第四硅衬底上，并且第一和第三硅中的每一个具有直通型 用于固定用于接收发送/接收模块设备的空间的空腔。 因此，本发明可以改善部件的集成度和轻量加权以及对机械改型的耐久性。
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公开(公告)号：KR101378060B1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020130134144
申请日：2013-11-06
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7831
Abstract: The present specification relates to a high power transistor having a high power property without reducing a frequency property, and a fabrication method thereof. According to one embodiment of the present specification, the high power transistor includes a substrate; a first and a second epi layer which are formed on a substrate and separated from each other; a first source electrode and a first drain electrode which are formed on the first epi layer; a first gate electrode which is formed between the first source electrode and the first drain electrode; a second source electrode and a second drain electrode which is formed on the second epi layer; and a second gate electrode which is formed between the second source and the second drain electrode.
Abstract translation: 本说明书涉及具有高功率特性而不降低频率特性的高功率晶体管及其制造方法。 根据本说明书的一个实施例，高功率晶体管包括衬底; 第一和第二外延层，其形成在基板上并彼此分离; 形成在第一外延层上的第一源电极和第一漏电极; 形成在第一源极和第一漏极之间的第一栅极; 形成在第二外延层上的第二源电极和第二漏电极; 以及形成在第二源极和第二漏极之间的第二栅电极。
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公开(公告)号：KR101695318B1
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR1020150116571
申请日：2015-08-19
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01N23/222 , G01N33/22 , G21G1/06
Abstract: 본발명의중성자센서시스템은중성자센서(10)에서발생된고속중성자가통과하는경로에구비된경수(중수)로고속중성자의에너지를낮춰저 레벨에너지의열중성자나고 레벨에너지의열중성자로전환시킨후 토양으로조사시켜주는중성자에너지조절장치(20)를포함함으로써중성자의에너지조절이이루어지고, 특히매설지뢰(100-1)의매설깊이에맞춘경수(중수)의높이조절로토양의깊이와종류및 수분함량이다른경우에도적합한특징을갖는다.
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公开(公告)号：KR101552166B1
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：KR1020130103875
申请日：2013-08-30
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명은위성배열레이더에사용되는레이더용송수신모듈을위한반도체패키지에관한것으로, 상기발명은실리콘관통비아가각각형성된제1 실리콘기판, 제2 실리콘기판, 제3 실리콘기판및 제4 실리콘기판을포함하고, 상기제1 실리콘기판, 제2 실리콘기판, 제3 실리콘기판및 제4 실리콘기판은순서적으로적층되어상기실리콘관통비아를통해서로전기적으로연결되고, 상기제2 실리콘기판및 제4 실리콘기판에는레이더용송수신모듈의소자들이플립칩본딩을통해배치되며, 상기제1 실리콘기판및 상기제3 실리콘기판각각은상기레이더용송수신모듈의소자의배치공간를확보하기위해형성되는관통형캐버티를구비하는것을특징으로한다. 이에의해본 발명은부품의집적화및 경량화를향상시킬수 있고, 기계적변형에대한내구성을향상시킬수 있다.
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