公开(公告)号：WO2022177102A2

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：PCT/KR2021/016766

申请日：2021-11-16

Applicant: 대전대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김경남 ,  염근영 ,  김동우 ,  성다인 ,  탁현우 ,  오지영

IPC: H01L21/67 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/683 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명의 실시예에 의하면, 극저온(Cryogenic) 식각에 비하여 상대적으로 높은 온도에서도 극저온 식각과 거의 동일한 효과를 달성할 수 있는 액상 플루오로카본 또는 액상 하이드로플루오로카본 전구체를 이용하는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다. 또한, 액상 전구체와 저온에 의하여 발생할 수 있는 공정 문제를 해결할 수 있는 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법이 제공될 수 있다.

公开(公告)号：KR20210034719A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190115965A

申请日：2019-09-20

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  박준영 ,  김석준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC 를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2021054670A1

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：PCT/KR2020/012156

申请日：2020-09-09

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  박준영 ,  김석준

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 본 발명은 L-FC 전구체를 이용하는 플라즈마에칭공정에서 적외선 또는 자외선을 이용하여 웨이퍼, 전극, 기판, 헤드 등에 응결되는 L-FC를 제거하는 것을 특징으로 하는 플라즈마에칭공정상의 L-FC 제거 방법 및 그 시스템에 관한 것이다. 이는 반도체 소자 제조 공정 조건에 영향을 주지 않으면서도 헤드, 전극, 기판 및 웨이퍼에 흡착되는 L-FC 중성종 및 반응 부산물을 제거할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR102100381B1

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：KR1020180048525

申请日：2018-04-26

Applicant: 대전대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 김경남 ,  오광진 ,  염근영 ,  김태형 ,  이수정

IPC: H05K7/20 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06

公开(公告)号：KR102066222B1

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：KR1020170142026

申请日：2017-10-30

Applicant: 대전대학교 산학협력단

Inventor： 김경남 ,  오광진

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020160130017A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：KR1020150061732

申请日：2015-04-30

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  문무겸 ,  박진우 ,  성다인 ,  오종식 ,  오지수

IPC: H01B13/00 ,  H01B5/14 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01B1/12 ,  H01B1/02

Abstract: 본발명은투명전극의제조방법및 이에의해제조된투명전극에관한것으로, 상기투명전극의제조방법은기재를준비하는기재준비단계; (1) 상기기재를표면처리하거나, (2) 상기기재에유기용매를코팅하여유기용매레이어를형성시키는기재처리단계; 상기기재상에금속나노와이어또는금속나노메쉬를코팅하는금속코팅단계; 상기금속나노와이어또는금속나노메쉬상에고분자, 산화물및 질화물중 적어도하나를포함한물질을코팅하여제1전극층을형성하는제1전극층형성단계; 및상기기재를제거하는기재제거단계를포함하는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 표면거칠기가개선된투명전극을제공하여디스플레이소자또는플렉서블소자에유용하게적용할수 있다.

公开(公告)号：KR101639378B1

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：KR1020150087296

申请日：2015-06-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 한전건 ,  이준석 ,  진수봉 ,  최은하 ,  김경남

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/513 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/22

Abstract: 박테리아방지용소수성박막및 상기박테리아방지용소수성박막의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种防止细菌的疏水性薄膜，以及疏水性薄膜的防止细菌的制造方法。 根据本发明的一个方面，提供一种疏水性薄膜的制造方法，其通过使用硅前体或氟化碳系气体前体的等离子体化学气相沉积法在基板上形成疏水性薄膜来防止细菌的形成 。

公开(公告)号：KR101463109B1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：KR1020120119405

申请日：2012-10-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  전민환 ,  김경남 ,  김회준 ,  김태형

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 플라스마 발생 장치가 개시되며, 상기 플라스마 발생 장치는 멀티전극에 인가되는 펄스 신호를 통해 플라스마를 발생시키는 본체부; 상기 멀티전극에 각각 서로 상이한 주파수를 가지는 펄스 신호를 인가하는 소스 파워; 상기 소스 파워에 인가되는 클럭 신호를 조절하여 상기 멀티전극에 각각 인가되는 펄스 신호를 서로 동기화시키는 주 제어부를 포함하되, 상기 주 제어부는 상기 소스 파워에 인가되는 펄스 신호를 제어하여 상기 플라스마의 특성을 조절한다.

公开(公告)号：KR1020140126273A

公开(公告)日：2014-10-30

申请号：KR1020140095984

申请日：2014-07-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김태형 ,  서진석

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/34

Abstract: Disclosed is a large area plasma generating apparatus capable of adjusting a plasma generation region. The plasma generating apparatus comprises a vacuum chamber in which plasma is generated, a susceptor which is provided in the vacuum chamber and on which a substrate is mounted, and a plasma generation region limiting member which limits a plasma generation region. The plasma generation region limiting member includes two pairs of plasma generation region limiting members which are disposed to face each other so as to surround four sides of the plasma generation region. The width of one pair of plasma generation region limiting members is narrower than the width of the other pair of plasma generation region limiting members.

Abstract translation: 公开了能够调整等离子体产生区域的大面积等离子体发生装置。 等离子体发生装置包括：在其中产生等离子体的真空室，设置在真空室中并且其上安装有基板的基座;以及限制等离子体产生区域的等离子体产生区域限制部件。 等离子体产生区域限制构件包括两对等离子体产生区域限制构件，其被设置成围绕等离子体产生区域的四个侧面彼此相对。 一对等离子体产生区域限制部件的宽度比另一对等离子体产生区域限制部件的宽度窄。

公开(公告)号：KR1020140125120A

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：KR1020130042874

申请日：2013-04-18

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  김경남 ,  김태형 ,  서진석

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32532 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/4675 ,  H05H2001/4682

Abstract: 복수 개의 유도 결합형 안테나 및 복수 개의 용량 결합형 안테나가 서로 교번하여 배치되는 하이브리드 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치가 개시된다. 상기 두 가지의 다른 형태의 안테나에 각각 전력을 인가함으로써, 공정에서 중요한 요소인 플라즈마의 밀도, 전자온도, 균일도 등을 조절 가능하게 함으로써, 유도 결합형 플라즈마 소스와 용량 결합형 플라즈마 소스 각각이 가지고 있는 문제점을 해결할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种混合等离子体源，其中交替布置多个电感耦合天线和多个电容耦合天线，以及用于使用该等离子体产生等离子体的装置。 为了控制等离子体的密度，电子温度和均匀性，这两种类型的天线都被施加电力，这是工艺的重要元件。 因此，本发明解决了电感耦合天线和电容耦合天线中的每一个具有的问题。