公开(公告)号：KR1020130007476A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120070460

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이찌 ,  가나가와고오조오 ,  에노끼다스구루

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for processing a substrate are provided to precisely control the temperature of a substrate that a stepper requires by detecting the temperature of the substrate heading toward the stepper and detecting the internal temperature of an interface block. CONSTITUTION: A substrate transferring tool transfers temperature-controlled substrates from a temperature controlling plate(53) to a stepper(S4). A first temperature detecting part(70) detects the temperature of a part corresponding to the temperature of the temperature controlling plate. The control part controls a temperature controlling tool based on temperature values detected in the first temperature detecting part and a predetermined temperature set value. A second temperature detecting part(7) detects the temperature of environment to transfer the substrates or the temperature of the transferred substrates. A set value adjusting part adjusts the temperature set value based on temperature values detected in the second temperature detecting part. [Reference numerals] (43) Memory; (44) Program

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理衬底的装置和方法，以通过检测朝向步进器的温度和检测界面块的内部温度来精确地控制步进器所需的衬底的温度。 构成：基板转印工具将温度控制基板从温度控制板（53）传送到步进器（S4）。 第一温度检测部（70）检测与温度控制板的温度对应的部分的温度。 控制部基于第一温度检测部检测出的温度值和规定的温度设定值来控制温度控制工具。 第二温度检测部（7）检测传送基板的环境温度或转印的基板的温度。 设定值调整部根据在第二温度检测部检测出的温度值来调整温度设定值。 （附图标记）（43）存储器; （44）计划

公开(公告)号：KR101841775B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR1020120070460

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시신이찌 ,  가나가와고오조오 ,  에노끼다스구루

IPC: H01L21/027

Abstract: 본발명은기판의도포, 현상처리를행하는기판처리장치에있어서, 인터페이스블록(S3) 내의분위기온도의변동에관계없이, 기판을노광기(S4)에서요구되고있는목표온도로설정하는것에관한것이다. 기판을온도조절플레이트(53)에의해온도조절한후에인터페이스블록(S3)으로부터노광기(S4)로반송한다. 그리고, 온도조절플레이트(53)를통과하는온도조절유체의온도를검출하고, 설정온도에기초하여칠러(5)를제어한다. 또한, 인터페이스블록(S3) 내의분위기의온도또는당해분위기를반송된기판의온도를검출하고, 그온도에기초하여온도조절유체의설정온도를조정한다. 또는예를들어, 상기분위기의온도가목표온도로부터벗어나있을때에기판의반송속도를상기분위기의온도가목표온도일때의속도보다빨라지도록컨트롤한다.

公开(公告)号：KR101084457B1

公开(公告)日：2011-11-21

申请号：KR1020060096982

申请日：2006-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기무라요시오 ,  가나가와고오조오

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67225

Abstract: 본 발명의 과제는 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 하는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것이다.
피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 밀폐 용기(54) 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치에 있어서, 배기관(68)을 거쳐서 밀폐 용기에 접속되는 동시 하단부가 폐색되는 외부 배기통(71) 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로(203)를 구비하고, 배출로에 배기 수단인 이젝터(100)를 끼워 설치한다.
외부 배기통, 반도체 웨이퍼, 하류 안내로, 배출로, 상류 안내로, 이젝터

公开(公告)号：KR1020070038007A

公开(公告)日：2007-04-09

申请号：KR1020060096982

申请日：2006-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기무라요시오 ,  가나가와고오조오

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67225 ,  G03F7/168 ,  H01L21/67098

Abstract: 본 발명의 과제는 배기 유체 중 이물질의 수집을 확실하게 하는 동시에, 수집량의 증대를 도모할 수 있고, 또한 장치의 소형화를 도모할 수 있게 한 배기 장치를 제공하는 것이다.
피처리 기판인 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 밀폐 용기(54) 내에 공급되어 처리에 제공되는 유체를 배기하는 배기 장치에 있어서, 배기관(68)을 거쳐서 밀폐 용기에 접속되는 동시 하단부가 폐색되는 외부 배기통(71) 내에, 상기 외부 배기통 내를 흐르는 배기 유체를 하방으로 안내하는 하류 안내로(201)와, 상기 하류 안내로를 흐른 배기 유체를 상방에 안내하는 동시에 배기 유체 중의 이물질 등을 중력 침강시키는 상류 안내로(202)와, 상기 상류 안내로를 흐르는 배기 유체를 하방 외부로 안내하는 배출로(203)를 구비하고, 배출로에 배기 수단인 이젝터(100)를 끼워 설치한다.
외부 배기통, 반도체 웨이퍼, 하류 안내로, 배출로, 상류 안내로, 이젝터